STT5PF20V-VB: P沟道SOT23-6封装高功率MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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STT5PF20V-VB是一种高性能的P沟道SOT23-6封装MOS场效应晶体管(MOSFET),由ST公司生产。该器件采用先进的Trench FET技术,具有环保特性,符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。这款MOSFET适用于负载开关等应用,其关键规格如下:
1. **特性**:
- **电压特性**: 具有30V的 Drain-Source (D-S) 电压等级(VDS),在VGS = -10V时,静态漏电流RDS(on)为0.049Ω。
- **温度依赖性**: 非常注重温度适应性,例如,在室温下(TC=25°C),持续导通电流ID在VGS = -10V时为-4.8A,而在70°C时为-4.1A。
- **脉冲电流能力**: 定义了最大脉冲 Drain-Source 电流(IDM),在此条件下为-20A。
- **保护特性**: 连续源-漏二极管电流(IS)在25°C下为-2.5A,而在相同条件下略低。
2. **功率参数**:
- **最大功率耗散**:在25°C下,允许的最大功率损耗PD为3.0W,而在70°C时下降至2.0W。
- **散热性能**:
- Junction-to-Ambient热阻(RthJA)典型值为55°C/W,在5秒内限制温度上升。
- Junction-to-Foot热阻(RthJF)在稳态条件下,典型值为34°C/W。
3. **温度范围**:
- **操作温度范围**:从-55℃到150℃,满足宽广的应用环境。
- **存储温度范围**:同样支持-55℃到150℃,确保长期可靠储存。
4. **封装与安装**:
- SOT23-6封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上。
5. **注意事项**:
- 数据基于25°C工作条件,如需在更高或更低温度下使用,需参考温度限制。
- 所有电流量级均是在特定时间范围内(如5秒)的瞬态数据。
STT5PF20V-VB以其低漏电流、高效率和宽温度范围,成为工业控制和电源管理应用的理想选择,但使用时务必遵循制造商提供的极限参数和推荐工作条件,以确保设备的长期稳定运行。
2024-09-30 上传
2022-03-24 上传
2021-05-01 上传
2021-05-23 上传
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