深入理解JFET：N/P沟道场效应管结构与工作原理

本资源是一份详细的计算机专业电子线路课件，主要聚焦于第5章半导体器件，特别是结型场效应管（JFET）的学习。JFET分为N沟道和P沟道两种，N沟道JFET由N型半导体两侧的P+区形成两个P+N结，构成导电沟道，其工作原理基于PN结空间电荷区宽度随反向电压变化的特性。栅极电压uGS用来控制沟道电阻，进而影响漏极电流ID。 N沟道JFET的结构示意图显示了栅极G、源极S和漏极D的角色，栅极电压为零时，漏极电流为零。当uDS为正且uGS小于零但大于夹断电压UP（通常-1V至-10V）时，导电沟道电阻最小，iD接近于零。当uGS进一步减小到全夹断状态时，由于耗尽层完全闭合，沟道阻断，电流几乎为零。 P沟道JFET则是通过P型半导体两侧的N+区构造，栅极电压的方向决定了电子流方向，栅极正偏时，电子从P区流向N区。这份课件不仅介绍了基本的结构，还深入剖析了工作原理，对于理解JFET的静态特性以及动态控制非常有帮助，适合电子工程专业的学生深入学习和实践。