深入理解JFET:N/P沟道场效应管结构与工作原理
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更新于2024-08-02
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本资源是一份详细的计算机专业电子线路课件,主要聚焦于第5章半导体器件,特别是结型场效应管(JFET)的学习。JFET分为N沟道和P沟道两种,N沟道JFET由N型半导体两侧的P+区形成两个P+N结,构成导电沟道,其工作原理基于PN结空间电荷区宽度随反向电压变化的特性。栅极电压uGS用来控制沟道电阻,进而影响漏极电流ID。
N沟道JFET的结构示意图显示了栅极G、源极S和漏极D的角色,栅极电压为零时,漏极电流为零。当uDS为正且uGS小于零但大于夹断电压UP(通常-1V至-10V)时,导电沟道电阻最小,iD接近于零。当uGS进一步减小到全夹断状态时,由于耗尽层完全闭合,沟道阻断,电流几乎为零。
P沟道JFET则是通过P型半导体两侧的N+区构造,栅极电压的方向决定了电子流方向,栅极正偏时,电子从P区流向N区。这份课件不仅介绍了基本的结构,还深入剖析了工作原理,对于理解JFET的静态特性以及动态控制非常有帮助,适合电子工程专业的学生深入学习和实践。
2021-10-08 上传
2024-10-25 上传
2024-10-25 上传
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