模拟电子第四版华成英习题解答：半导体器件分析

"模拟电子(第四版华成英主编)习题答案01" 这篇资料主要涉及模拟电子技术的基础知识，特别是关于半导体器件的理解和应用。主要包括以下几个知识点： 1. **半导体类型与改型**： - N型半导体中含有丰富的自由电子，如果掺入三价元素（如硼），可以中和自由电子，形成更多的空穴，从而转变成P型半导体，题解（1）给出了正确的判断。 2. **半导体电荷性质**： - N型半导体的多子是自由电子，但由于整体电中性，它并不带负电，因此题解（2）的表述是错误的。 3. **PN结特性**： - PN结在无光照且无外加电压时，由于扩散和漂移达到动态平衡，结电流接近于零，题解（3）确认了这一点。 4. **晶体管的工作状态**： - 放大状态的晶体管中，集电极电流是由发射极注入的多子（电子或空穴）在基区扩散后到达集电极形成的，而不仅仅是多子漂移导致，因此题解（4）的表述是错误的。 5. **场效应管的工作原理**： - 结型场效应管的栅-源电压控制耗尽层的宽度，当栅-源间耗尽层承受反向电压时，其输入电阻较大，题解（5）给出了正确答案。 6. **MOS管的输入特性**： - 耗尽型N沟道MOS管，当UGS大于零时，沟道被打开，输入电阻不会明显变小，因此题解（6）的表述是错误的。 此外，题目还涉及了以下内容： 7. **PN结电压效应**： - 当PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，允许电流更容易通过，选项（1）选择了正确答案A。 8. **二极管的I-V特性**： - 二极管的电流方程描述了其在不同电压下的电流行为，选项（2）选择了正确答案C，即反向击穿时的电流表达式。 9. **稳压管的工作状态**： - 稳压管通常在反向击穿区工作以提供稳定的电压输出，选项（3）选择了正确答案C。 10. **晶体管放大区的工作条件**： - 晶体管在放大区时，发射结正偏，集电结反偏，选项（4）选择了正确答案B。 11. **场效应管的工作模式**： - 结型管和耗尽型MOS管可以在UGS=0V时工作在恒流区，因此选项（5）选择了正确答案AC。 最后，题目还涉及了实际电路的计算，例如二极管的电压降，稳压管的稳压效果，晶体管的最大耗散功率，以及晶体管过损耗区的确定等。 这些习题答案涵盖了半导体基础、二极管、晶体管和场效应管的基本工作原理和特性，是学习模拟电子技术的重要练习。理解和掌握这些知识点对于深入学习模拟电路设计和分析至关重要。