EVERSPIN MR25H40：高性能串行MRAM技术规格

"MR25H40是一款由EVERSPIN公司生产的4Mb串行SPI MRAM存储器。这款设备提供了无写入延迟、无限次读写耐久性、超过20年的数据保留时间以及电源断电时的数据自动保护功能。其特点还包括高速SPI接口（最高40MHz时钟速率）、3.0至3.6伏的工作电压范围、低电流休眠模式、工业级工作温度、小巧的8引脚DFN封装（符合RoHS标准）以及8引脚DIP封装选项，可直接替换串行EEPROM、Flash和FeRAM。" MR25H40是一款基于磁阻随机存取存储技术（MRAM）的存储器，其主要特性包括： 1. **无写入延迟**：与传统存储器不同，MR25H40在执行读写操作时无需等待写入延迟，这意味着数据可以快速写入并立即可用。 2. **无限次读写耐久性**：MR25H40的设计允许无限次的读写操作，这极大地增强了其在频繁读写场景下的可靠性。 3. **数据保留时间**：在20年以上的时间内，存储在MR25H40中的数据能保持完整性，确保了长期数据存储的稳定性。 4. **电源保护**：在电源断开的情况下，设备能自动保护已存储的数据，防止数据丢失。 5. **高速SPI接口**：通过支持高达40MHz的时钟速率，MR25H40提供了一个快速且简单的串行外设接口（SPI），适用于需要高效通信的应用。 6. **电压范围**：3.0至3.6伏的工作电压范围使其能在各种电子系统中兼容使用。 7. **低电流休眠模式**：在不活动时，设备可以切换到低电流模式，以节省能源，适合电池供电或节能应用。 8. **工业级温度范围**：MR25H40能在广泛的温度范围内正常工作，适应各种工业环境。 9. **封装选项**：8引脚DFN封装和8引脚DIP封装设计，使得MR25H40可以直接替换现有的串行EEPROM、Flash和FeRAM产品，简化了系统升级过程。 10. **RoHS兼容**：符合RoHS标准，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。 这款存储器特别适合那些需要快速存储和检索数据、对耐久性和响应速度有高要求的应用，例如嵌入式系统、物联网设备、工业控制、汽车电子以及需要长时间保存非易失性数据的任何其他领域。MR25H40因其独特的性能优势，成为这些应用领域的理想内存解决方案。