APM2301CAC-TRL MOSFET：参数详解与应用指南

"APM2301CAC-TRL-VB-MOSFET产品是一款P沟道MOSFET，适用于各种应用。它具有-20V的漏源电压（VDS），在不同栅极电压下，其漏极到源极的导通电阻（RDS(on)）分别为57mΩ@4.5V和83mΩ@2.5V。该器件采用SOT23封装，具有低栅极电荷（Qg）和阈值电压（Vth）为-0.81V。此外，它还具备一定的脉冲电流承受能力和连续电流能力。" 这款P-Channel MOSFET，APM2301CAC-TRL，设计用于低压和大电流应用。其绝对最大额定值包括-20V的漏源电压，±12V的栅源电压，以及在不同温度下的持续漏极电流（ID）。例如，在结温（TJ）为150°C时，最大ID为-5eA；在25°C时，若使用1"x1"FR4板进行表面安装，ID可达到-4.5A。此外，它还能够承受短暂脉冲电流IDM高达-18A。在结温为25°C时，连续源漏二极管电流IS可达-2.1A。 MOSFET的热特性也非常重要。在25°C的环境温度下，最大结到外壳热阻RthJA为75°C/W，而在70°C时上升至100°C/W。这表明器件的散热能力。同时，稳态结到脚（漏极）的热阻RthJF典型值为40°C/W，最大值为50°C/W，这些参数对设备在高负荷工作时的稳定性至关重要。 该产品的一个显著特点是其低RDS(on)，这意味着在导通状态下，其内部电阻较低，从而导致更低的功率损耗和更高的效率。此外，它的低栅极电荷（Qg）有助于减少开关过程中的能量损失。由于Vth为-0.81V，这个MOSFET适合在低电压系统中操作。而且，这款MOSFET符合IEC61249-2-21标准，是无卤素设计，有利于环保。 APM2301CAC-TRL-VB-MOSFET是一种高性能、低功耗的P沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和小尺寸封装的应用，如电源管理、电池供电设备、负载开关和逻辑切换等。其优秀的电气特性和热性能，加上无卤素的环保特性，使其成为电子设计中的理想选择。