三星K7A203200A：64Kx32位同步SRAM技术规格书

"SAMSUNG-K7A203200A.pdf" 本文档详细介绍了三星（SAMSUNG）的一款同步静态随机存取存储器（SRAM）——K7A203200A。这款芯片是一款64Kx32位同步管道突发SRAM，主要用于提高基于Pentium和PowerPC系统的二级缓存性能。 1. 产品规格： K7A203200A是2,097,152位的同步SRAM，其组织结构为64K个32位字。这意味着它能够提供大量高速数据存储，适用于需要快速访问和处理大量信息的应用场景。 2. 功能特性： - 同步性：这款SRAM是同步的，意味着它的操作与系统时钟同步，确保了高速的数据传输。 - 管道突发模式：它支持管道突发模式，能够在连续的内存访问中保持高效率，这对于处理连续数据流（如缓存）至关重要。 - 地址和控制寄存器：内置的地址和控制寄存器增强了对内存操作的精确管理。 - 2位突发地址计数器：这个特性允许芯片在突发模式下连续访问多个内存位置，进一步提升数据读取速度。 - 新功能：文档提到，K7A203200A添加了一些新的功能，以适应高性能的缓存RAM应用需求，尽管具体细节未在摘要中给出。 3. 电源电压： 从修订历史中可以看出，VDDQ电源电压增加到了2.5V。这表明该芯片可能需要这个特定的电压来保证数据线的稳定工作。 4. 修订历史： - Rev.0.0：1998年11月10日的草案。 - Rev.1.0：1998年12月2日的最终版本，增加了VDDQ电源电压的信息。 5. 供应商信息： 三星电子保留更改规格的权利，并承诺评估和回应关于该设备参数的请求和问题。用户可以通过联系三星的当地分公司或总部获取更多信息和支持。 K7A203200A是专为高性能计算环境设计的SRAM，其同步管道突发模式和增强的功能使其成为高速缓存系统的理想选择。这款芯片的详细规格和新功能为系统设计师提供了优化性能的可能性。