3322-VB N-Channel MOSFET: 参数详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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"3322-VB是一款N-Channel沟道的SOT23封装MOSFET晶体管,适用于电源转换等应用。这款器件的主要特性包括:无卤素设计,采用TrenchFET技术,通过了100%栅极电阻测试,并符合RoHS指令。关键参数包括:在VGS=10V时的漏源导通电阻RDS(on)为30毫欧,最大连续漏极电流ID为6.5A,总栅极电荷Qg为4.5nC。此外,其绝对最大额定值如VDS为30V,VGS为±20V,连续漏极电流ID在不同温度下有所不同,最大功率耗散和热特性也根据温度变化而变化。"
3322-VB MOSFET晶体管是一款适用于直流/直流转换器的功率器件。其采用了N-Channel沟道设计,意味着它在栅极和源极之间施加正电压时才能导通。SOT23封装小巧紧凑,适合在空间有限的电路板上使用。器件采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,能显著降低导通电阻,提高效率。
该MOSFET的漏源导通电阻RDS(on)是衡量其导通状态下的电阻的关键参数。在VGS=10V时,RDS(on)为30毫欧,这意味着在满载工作时,器件内部的电阻很小,能有效地减少功率损失。同时,器件的最大连续漏极电流ID在TJ=150°C时为6.5A,但随着温度的升高,这个值会下降。
此外,总栅极电荷Qg是指开启或关闭MOSFET所需的电荷量,它影响开关速度。3322-VB的Qg典型值为4.5nC,表示开关速度快,适合高速开关应用。器件还通过了100%的栅极电阻测试,确保了质量一致性。
在温度管理方面,3322-VB的最高结温TJ和存储温度范围为-55°C到150°C。其最大功率耗散(PD)在不同环境温度下有所差异,这需要在实际应用中考虑散热设计,以防止过热。
3322-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,适用于需要高效、紧凑和快速开关特性的电源转换系统。在设计电路时,需要充分考虑其电气特性,如RDS(on),ID,Qg以及热管理参数,以确保器件的稳定运行。
2023-11-24 上传
2023-11-17 上传
2023-11-29 上传
2023-11-29 上传
2023-10-09 上传
2023-11-20 上传
2024-10-27 上传
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