英飞凌IPA60R180P7S CoolMOS P7 功率MOSFET技术规格
需积分: 5 61 浏览量
更新于2024-08-04
收藏 899KB PDF 举报
"IPA60R180P7S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf"
本文将详细介绍英飞凌科技(INFINEON)的IPA60R180P7S CoolMOS P7系列功率MOSFET芯片。该芯片是一款基于超结(Superjunction,SJ)技术设计的600V高压功率MOSFET,旨在提供快速开关性能、出色的易用性以及卓越的耐用性。
首先,CoolMOS P7平台是对第六代(P6)系列的继承与改进,它在超级结原理基础上实现了一次革命性的技术升级。超级结技术使得这款MOSFET能在保持高电压能力的同时,显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高开关应用的效率、紧凑性和冷却效果。
该芯片的主要特性包括:
1. 硬开关和软开关兼容:由于其卓越的换流坚固性,IPA60R180P7S适合于功率因数校正(PFC)和谐振转换器(LLC)等应用。
2. 低损耗:显著降低了开关和传导损耗,这不仅提高了系统效率,还减少了发热,有助于减小散热器尺寸或增强系统稳定性。
3. 优秀的静电放电(ESD)耐受力:所有产品都具有超过2kV(人体模型,HBM)的ESD抗扰度,这在实际操作中能防止意外损坏,确保了芯片在组装和使用过程中的安全性。
4. 优化的封装效率:相比前一代产品,IPA60R180P7S提供了更好的封装内每单位面积的RDS(on),这意味着在相同封装尺寸下,芯片的导通电阻更低,效率更高。
此外,这款MOSFET的源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)引脚布局符合标准的PG-TO 220 FP封装,便于在各种电路设计中集成。其内置的体二极管在硬开关条件下表现出极高的鲁棒性,能够承受强烈的反向电流冲击,确保可靠工作。
总体来说,IPA60R180P7S是英飞凌科技对高电压功率MOSFET技术的一次重大突破,它集成了高效、稳定和易于使用的特点,是电源转换、电机驱动、照明控制等领域的理想选择。通过深入理解这款芯片的规格和技术参数,工程师们可以更好地设计和优化他们的电力电子系统。
2023-06-08 上传
2023-06-08 上传
2023-06-09 上传
2023-06-12 上传
2023-06-08 上传
2023-06-09 上传
2023-06-08 上传
2023-06-07 上传
2023-06-09 上传
芯脉芯城
- 粉丝: 4
- 资源: 4030
最新资源
- 单片机串口通信仿真与代码实现详解
- LVGL GUI-Guider工具:设计并仿真LVGL界面
- Unity3D魔幻风格游戏UI界面与按钮图标素材详解
- MFC VC++实现串口温度数据显示源代码分析
- JEE培训项目:jee-todolist深度解析
- 74LS138译码器在单片机应用中的实现方法
- Android平台的动物象棋游戏应用开发
- C++系统测试项目:毕业设计与课程实践指南
- WZYAVPlayer:一个适用于iOS的视频播放控件
- ASP实现校园学生信息在线管理系统设计与实践
- 使用node-webkit和AngularJS打造跨平台桌面应用
- C#实现递归绘制圆形的探索
- C++语言项目开发:烟花效果动画实现
- 高效子网掩码计算器:网络工具中的必备应用
- 用Django构建个人博客网站的学习之旅
- SpringBoot微服务搭建与Spring Cloud实践