BIST在嵌入式NVM可靠性测试中的关键角色与实验分析

本文主要探讨了BIST（内建自测试）在嵌入式非易失性存储器可靠性测试中的应用。随着便携式和物联网设备市场的快速扩张，对非易失性存储器的需求大幅增长，其中Flash作为一种基于浮栅概念的存储器，其性能和可靠性成为了关键因素。传统上，存储器测试主要关注故障检测，如march和gallop算法，但近年来，可靠性测试的重要性被重新认识。 文章指出，当前的存储器故障测试技术虽然取得了一些进步，但在确保存储器的长期稳定性和耐用性方面，可靠性测试仍需加强。为此，作者提出利用BIST架构进行非易失性存储器的故障和可靠性测试，包括了数据保持（DRB）、擦/写耐久性、高温操作寿命（HTOL）以及低温操作寿命（LTOL）等多个指标。这些指标对于评估存储器在不同环境条件下的表现至关重要。 实验结果显示，当施加负电压进行读取“1”操作时，随着电压增加，失效位数呈现逐渐减少的趋势；相反，在正电压下读取“0”，失效位数随着电压减小而减少，直到达到一个峰值。这表明了电压对存储器可靠性的直接影响，并强调了在设计和测试阶段充分考虑这些参数的重要性。 本文通过实证研究展示了如何利用BIST技术深入分析非易失性存储器的可靠性问题，并为优化存储器设计提供了有价值的参考数据。未来，随着技术的发展，这种集成自测试方法将在提高嵌入式设备存储器的整体性能和可靠性方面发挥重要作用。