APM4474KC-TRL-VB: 40V N-Channel MOSFET with 10A Rating and Low R...

APM4474KC-TRL-VB是一款由VBSEMI公司生产的SOP8封装N-Channel场效应MOS管，特别设计用于高电压和大电流应用场合。该器件采用了先进的Trench FET®技术，确保了高效能和低导通电阻（RDS(ON)）。以下是关于这款MOSFET的关键特性和规格： 1. **封装**: APM4474KC-TRL-VB采用SOP8封装，这意味着它具有紧凑的尺寸，适合于小型电路板布局。 2. **性能参数**: - **耐压能力**: N-Channel沟道设计，最大集电极-源极电压（VDS）可达40V，确保在高压环境下稳定工作。 - **漏极电流**: - 连续漏极电流（ID）在室温下（TJ=25°C）可以达到约10A，在高温条件下（TJ=70°C）仍可维持较高水平。 - 耐过流能力：脉冲漏极电流（IDM）为50A，而 avalanche电流（I_Avalanche）达到15A，对应的avalanche能量为11mJ，确保设备在瞬间过载时的安全性。 - **导通电阻** (RDS(ON))：在VGS=10V和VGS=20V时，其典型值分别为14mΩ，显示了良好的开关性能。 - **阈值电压** (Vth)：N-Channel的开启电压约为1.6V。 3. **安全特性**: - **环保合规性**: 符合RoHS指令2002/95/EC，不含卤素，符合IEC61249-2-21标准，体现了对环境保护的关注。 - **可靠性测试**: - 100%的栅极电阻（Rg）和输入短路电流（UIS）测试，确保长期稳定运行。 - 产品经过严格的高温和老化测试，可在严苛的工作条件下保持性能。 4. **应用领域**: - 适用于同步整流（Synchronous Rectification）应用，这在电源管理、电机控制等高效率电路中常见。 - 支持各种功率级的电源负载开关（POL, IBC），包括次级侧电路。 5. **热管理**: - 当安装在1"x1"FR4板上，建议在10秒时间尺度上的最大功耗条件下，结温不超过85°C/W。 - 提供了不同温度下的最大功率损耗限制（如在25°C和70°C环境下的最大允许功率）。 6. **符号和极限**: - 参数限制和条件说明，例如连续源-漏极二极管电流（S-D diode current, I_S）和最大功耗（P_max）都列出了相应的典型值或最大限制。 APM4474KC-TRL-VB是一款高性能、高可靠性的N-Channel场效应MOS管，适用于对电压、电流和功率需求较高的电子应用，如电源转换和电机驱动系统。在设计电路时，需确保遵守其操作温度范围和功耗限制，以实现最佳性能和长期稳定性。