J211-T1B-A-VB：超低阻抗SOT23封装P-Channel MOSFET

"J211-T1B-A-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，适用于低阻抗、小型化应用，如DC/DC电源供应中的主动钳位电路。其特性包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术，以及超低导通电阻。该器件的最大特点是在VGS=10V和20V时，RDS(ON)分别为500mΩ和560mΩ，Vth值为-2.5V。此外，它的工作电压可承受-100V，连续漏极电流ID在不同温度下可达-1.5A，而脉冲漏极电流DM可达-3.0A。" J211-T1B-A-VB是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，其封装形式为SOT23，这是一种小型表面贴装器件，适合需要节省空间的应用。P-Channel意味着该MOSFET在栅极与源极间施加负电压时，源极至漏极的通道开启，允许电流从源极流向漏极。其主要规格参数包括： - VDS：漏源电压最大值为-100V，表示MOSFET可承受的最大电压差。 - RDS(ON)：在VGS=10V时，导通电阻为500mΩ，这意味着在导通状态下，每单位电压下的电阻较小，从而提供较低的导通损耗。 - ID：连续漏极电流在25°C时为-1.5A，在70°C时降低到-1.45A，表明随着温度升高，器件的电流承载能力会有所下降。 - Qg：总栅极电荷，这里是7.7nC，代表开启或关闭MOSFET所需的电荷量。 - VGS：栅源电压，阈值电压Vth为-2.5V，当VGS超过这个值时，MOSFET开始导通。 此外，这款MOSFET还具备以下特性： - TrenchFET技术：这是一种提高MOSFET性能的制造工艺，通过在硅片上挖出精细的沟槽结构，减小了导通电阻，降低了功耗。 - Halogen-free：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，有利于环保。 - UltraLowOn-Resistance：超低的导通电阻使得该器件在开关应用中效率更高。 应用领域： - Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies：主动钳位电路在开关电源中用于保护和控制电路的电压波动，J211-T1B-A-VB的小型化和低阻特性使其成为此类应用的理想选择。 安全操作区参数： - Maximum Power Dissipation：在不同温度下，最大功率损耗分别是2.0W（25°C）和1.0W（70°C），超过这个值可能导致器件过热。 - Thermal Resistance：给出了结到外壳的热阻，有助于计算器件在工作时的温度上升。 总结来说，J211-T1B-A-VB是一款高性能、小型化的P-Channel MOSFET，适合对尺寸和效率有高要求的电子设计，尤其在DC/DC转换器的主动钳位电路中表现出色。其特性包括低导通电阻、无卤素和采用先进的TrenchFET工艺，确保了高效且可靠的运行。