Infineon 650V IGBT4：提升大电流应用的短路耐受与性能优化

Infineon公司的650V IGBT4是一款专为高电流应用设计的最新器件，其最大电流支持Inom>300A。相比于之前的600V IGBT3，这款器件在性能上有了显著提升。关键改进包括： 1. 更高的阻断电压和更好的关断软度：650V IGBT4的阻断电压能力增强，这归功于芯片厚度的增加（约15%）和MOS沟道宽度的减小（约20%）。这种设计有助于减少在大电流关断时的电磁干扰，从而降低过电压，并提高器件的稳定性。 2. 优化的背面发射效率：通过提高背面发射极的效率，650V IGBT4的软关断特性得到明显改善，表现为正向过冲电压降低和关断电流变化率减小，这对于保护电路免受瞬态冲击至关重要。 3. 动态参数的变化：尽管饱和电压VCE,sat和关断电压Eoff有所增加（约100mV），但这种软化特性使得开关损耗保持在适度水平，确保了整体效率的平衡。 4. 适用范围的扩大：650V IGBT4的设计使得它能够应对更高电压和电流的挑战，满足那些杂散电感较高或大电流应用场景的需求，如电力电子、电机驱动和逆变器等。 5. 技术对比：与600V IGBT3相比，650V IGBT4在结构上继承了沟槽MOS-top-cell薄片技术和场截止概念，但通过优化这些元素来提升性能，特别是在短路鲁棒性和电压管理方面。 650V IGBT4是一款针对大电流、高要求应用的高性能IGBT解决方案，它通过创新设计实现了更高的可靠性和效率，是工程师在设计中值得考虑的优选器件。