英飞凌OptiMOS®-T2 功率MOSFET IPD100N04S4L-02技术规格

"IPD100N04S4L-02是英飞凌（INFINEON）生产的一款OptiMOS-T2功率晶体管，主要用于汽车应用。这款芯片是一款N沟道增强模式逻辑电平的MOSFET，符合AECQ101汽车行业质量标准，并且满足MSL1的峰值再流温度要求，适用于高达175°C的工作环境。它是一款绿色环保产品，符合RoHS标准，并且经过100%雪崩测试。在25°C时，连续漏极电流ID的最大值为100A，脉冲漏极电流可达400A，单脉冲雪崩能量为440mJ，最大栅源电压VGS为+20/-16V，总功率耗散Ptot为150W。此外，该器件的热特性包括：结壳热阻RthJC为1.0 K/W，最小封装下的结空气热阻RthJA为62 K/W。" IPD100N04S4L-02是一款专为汽车应用设计的高性能MOSFET，其主要特点和规格如下： 1. **OptiMOS-T2技术**：OptiMOS系列是英飞凌的高性能功率MOSFET产品线，具有低电阻、高效率和出色的热性能。 2. **N沟道增强模式逻辑电平**：这意味着该MOSFET在较低的栅极电压下即可开启，通常在4到10V之间，便于与逻辑电路兼容。 3. **AECQ101合格**：满足汽车行业的高质量标准，确保在严苛环境下工作的可靠性。 4. **耐高温**：工作温度范围宽广，从-55°C到175°C，适应汽车内部的高温环境。 5. **MSL1级别**：表示在峰值回流温度下具有良好的湿气防护能力，有助于延长器件寿命。 6. **100%Avalanche测试**：确保了芯片能够承受额定条件下的雪崩能量，增加了安全性和稳定性。 7. **封装与标识**：采用PG-TO252-3-313封装，芯片上标记有IPD100N04S4L-02，包装上的标记为4N04L02。 8. **热特性**：RthJC（结壳热阻）低至1.0 K/W，意味着器件能快速散热；RthJA（结空气热阻）的最小值为62 K/W，表明在特定安装条件下，器件的散热效率。 这些参数和特性使IPD100N04S4L-02成为汽车电子系统中电源管理、电机控制、开关电源等应用的理想选择，由于其高效能和高可靠性，能够在高温和恶劣环境中稳定工作。