妙存ArtMem LPDDR4/LPDDR4X规格书详细解读

"妙存 ArtMem LPDDR4 LPDDR4X 规格书 说明书 datasheet spec" 这篇文档是妙存（ArtMem）公司关于ATL4X08324M082移动LPDDR4X SDRAM的规格书，详细介绍了该内存芯片的特性、配置、性能参数和封装信息。LPDDR4X是一种低功耗双倍数据速率同步动态随机存取内存，相较于LPDDR4，它在电压上进一步降低，从而达到更高的能效。 1. **特性** - 支持LPDDR4（1.1V VDDQ）和LPDDR4X（0.6V VDDQ）两种操作模式，LPDDR4X的低电压设计显著降低了功耗。 - 密度为8Gb，型号为M082。 - 数据速率可达1333MHz，等效带宽2667Mbps，提供了高效的内存传输。 - 采用16n prefetch DDR架构，提高数据处理速度。 - 2通道分区架构，减少读写能量消耗，同时降低平均延迟。 - 支持Burst长度为16和32。 - 集成片上温度传感器，用于控制自刷新，确保工作稳定性。 - 可编程VSS (ODT)终端选项，增强信号完整性和系统性能。 2. **电源供应** - VDD1电压范围1.70V至1.95V，标称值1.8V。 - VDD2电压范围1.06V至1.17V，标称值1.1V。 - VDDQ电压有两种选择，分别为1.06V至1.17V或0.57V至0.65V，标称值分别为1.1V和0.6V。 3. **阵列配置** - 256Megx32的配置，表示256兆字节乘以32位宽的数据接口。 - 每通道4Gb容量，总计2个通道。 4. **设备配置** - 由2个256M16x2 die组成，每个die为4Gb密度，总计8Gb。 - 采用双通道设计。 5. **封装** - 采用10mm x 14.5mm x 0.92mm的200球FBGA封装，紧凑且适合移动设备使用。 6. **性能** - 最高速度等级下的周期时间为625ps，适用于RL=28/32的x16设备。 - 工作温度范围为-25°C到+85°C，适应广泛的环境条件。 7. **地址配置** - 表1列出了设备的地址配置，256M32（8Gb）的设备配置，每个包内有2个die，每个die的密度为4Gb，每通道的密度也是4Gb。 - 配置为32Mbx16DQx8banks，表示32兆字节，16位数据宽度，8个bank。 ATL4X08324M082是一款高效、低功耗的移动内存解决方案，适用于对功耗和性能有高要求的移动设备，如智能手机和平板电脑。其多样的工作模式、优化的架构和丰富的配置选项使其能够满足不同应用场景的需求。