AO3401A场效应管:低阻耗、宽工作电压范围的高性能开关
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更新于2024-08-03
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本文档是关于AOS场效应管(MOSFET)AO3401A的规格书,它是一款采用先进的沟槽技术设计的器件。AO3401A是一款30V P-Channel MOSFET,特别强调了其低栅极电阻(RDS(ON))和高效的开关特性。以下是一些关键参数:
1. **性能参数**:
- **VDS(漏源电压)**:最大值为-30V,表明该场效应管能够承受较高的电压。
- **ID(在VGS=-10V时的漏极电流)**:高达-4.0A,表示在负偏置条件下,设备能提供较强的电流驱动能力。
- **RDS(ON)(不同VGS下的漏源电阻)**:
- VGS=-10V时,RDS(ON) < 50mΩ
- VGS=-4.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
- VGS=-2.5V时,RDS(ON) < 85mΩ,这显示出在低电压操作下仍保持低阻态性能。
2. **封装和热性能**:
- 使用SOT23封装,便于小型化电路设计。
- **热容(RθJL和RθJA)**:分别表示结温与散热器温度差,对于散热管理至关重要,分别为0.9°C/W(Junction-to-Lead)和70°C/W(Junction-to-Ambient)。
- **工作温度范围**:从-55°C到150°C,确保在宽广的环境条件下稳定运行。
3. **功率处理**:
- **最大功率损耗(PD)**:在70°C下,瞬态状态下的功率极限为1.4W。
- **连续漏极电流(ID)**:在25°C下,可连续工作时的最大电流为1.4A。
- **最大脉冲漏极电流(Pulsed Drain Current)**:设备允许的短时间峰值电流可能超过连续电流。
4. **电气特性**:
- **VGS(栅源电压)**:典型值为±12V,这意味着该MOSFET可以在这样的电压范围内实现开关功能。
- **绝对最大额定条件**:在25°C时,限制了器件的电压和电流级别,以保护器件免受损坏。
AO3401A适用于负载开关和其他一般应用,特别是那些需要低漏极电阻、低栅极驱动电压以及良好功率处理能力的电路设计中。这份数据手册为硬件电路设计和开发人员提供了重要的参考信息,帮助他们优化系统性能并确保安全可靠的工作。
2021-02-03 上传
2019-09-14 上传
2018-07-12 上传
2023-05-26 上传
2023-06-08 上传
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2024-09-03 上传
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