GAL16V8：高性能E2CMOS PLD技术及应用

"GAL16V8是高性能的可编程逻辑器件，采用E2CMOS工艺，提供最高达250MHz的工作频率和3.5ns的最大传输延迟，适用于需要高速逻辑运算的场合。其特点包括低功耗，比双极型器件减少50%至75%，并具备高速电擦写功能，擦写时间小于100ns。该器件拥有8个输出逻辑宏单元，提供灵活的设计空间，可以模拟20引线PAL设备的所有功能。GAL16V8还包含预载和开电源复位功能，确保100%的功能可测性，并支持多种应用，如DMA控制、状态机控制、高速图形处理和标准逻辑速度提升。它有多种速度等级和封装选择，例如3LJ、5LJ、7LP、7LJ和7LS等，以满足不同速度和封装需求。" GAL16V8是通用阵列逻辑（PLD）的一种，采用了E2CMOS（电可擦除CMOS）工艺，这种工艺结合了高性能和低功耗的优势。器件的最大传输延迟仅为3.5ns，使得GAL16V8在PLD市场上具备了最高的速度性能。由于采用的是UltraMOS先进的CMOS工艺，它的功耗相比传统的双极型器件显著降低，典型工作电流Icc在低功率和1/4功率器件上分别仅为75mA和45mA。 GAL16V8的另一个显著特点是其可重复编程性，得益于E2CEEL工艺，它支持高速电擦写，擦写时间小于100毫秒，这意味着器件可以快速有效地进行多次编程。同时，它具有20年的数据保留能力，确保了长期的可靠性。 该器件内部包含8个输出逻辑宏单元（OLMC），这些宏单元可以配置成复杂的逻辑设计，提供了极大的设计灵活性。每个宏单元都可以编程以实现不同的逻辑功能，且支持可编程输出极性。GAL16V8不仅可以直接替代20引线的PAL设备，而且保持了全部功能、熔丝图和参数的兼容性。 在测试和可靠性方面，GAL16V8内置了独特的测试电路，允许在制造过程中进行全面的交流（AC）、直流（DC）和功能测试，确保100%的现场可编程性和可操作性。器件还通过了100次擦写循环的验证，数据保持时间超过20年，保证了长期的稳定运行。 最后，GAL16V8有多个速度等级和封装类型可供选择，如3LJ、5LJ、7LP、7LJ和7LS等，分别对应不同的传输延迟和电流消耗，适应不同应用场景的需求。例如，7LS封装的GAL16V8D-7LS在SOIC封装中提供了5ns的传输延迟和5ns的数据输出延迟，而10QP封装的GAL16V8D-10QP则适合对功耗有更高要求的环境，其功耗较低。 GAL16V8是高速、低功耗、可编程的逻辑解决方案，适用于需要高灵活性和高性能逻辑控制的领域。