英飞凌AUIRFR540Z汽车级功率MOSFET中文规格详解

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"AUIRFR540Z INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌科技(INFINEON)的AUIRFR540Z HEXFET® 功率MOSFET芯片,这是一款专为汽车应用设计的高性能半导体元件。该芯片具有极低的导通电阻,高耐温性和快速开关速度,适用于自动电压调节器(AVR)、电磁喷射、车身控制以及各种低功耗汽车应用。 AUIRFR540Z和AUIRFU540Z是该系列中的两个型号,它们的主要参数包括最大漏极-源极电压(VDSS)为100V,典型的导通电阻(RDS(on) typ.)为22.5mΩ,最大连续漏极电流(ID max.)在25°C时为35A,在100°C时为25A。此外,脉冲漏极电流(IDM)峰值可达140A,表明该芯片在短时高功率负载下仍能保持稳定。 在热特性方面,芯片的最大功率耗散(PD@TC=25°C)为91W,采用线性降额因子,每升高1°C,功率耗散降低0.61W。门极-源极电压(VGS)的最大值并未在摘要中给出,但通常此类MOSFET的门极驱动电压会设定在10V左右,以确保最佳性能。 该器件的其他关键特性包括175°C的结温操作,这意味着它能在高温环境下稳定工作。此外,其改进的重复雪崩评级增强了其在恶劣条件下的耐受力,提高了设备的可靠性。HEXFET® 是英飞凌的注册商标,代表了高效场效应晶体管技术,这些技术的应用使得AUIRFR540Z成为汽车应用和多种其他应用的理想选择。 在实际应用中,这款MOSFET可用于汽车电子系统的多个部分,如电池管理系统、电动机控制、电源转换、以及车载充电器等。由于其出色的性能指标,工程师在设计时可以优化电路效率,减少发热,并确保在宽温度范围内的稳定运行。 总结而言,AUIRFR540Z是一款高性能、低损耗、耐高温的功率MOSFET,专为汽车电子应用而设计,它的优势在于其优秀的电气特性和可靠性,能够满足严苛的汽车环境要求。在设计电路时,工程师应参考此规格书以确保正确选型和使用。