英飞凌 IRLB4132 HEXFET功率MOSFET：专为UPS/逆变器设计的高性能芯片

IRLB4132是INFINEON公司的一款HEXFET（高电子迁移率晶体管）功率MOSFET，专为不间断电源（UPS）和逆变器应用设计。该器件采用TO-220AB封装，提供卓越的性能，特别适合在低电压电源工具中实现高效能和稳定性。 该芯片的主要特点包括： 1. **最佳性能**：针对UPS/逆变器应用进行了优化，确保在这些高效率系统中的稳定运行。 2. **低RDS(on)**：在4.5V的栅极源电压（VGS）下，拥有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗和提高转换效率。 3. **超低门阻抗**：设计有很低的栅极电阻，有助于快速开关和减少电路中的延迟，这对于高频开关应用至关重要。 4. **全面的 Avalanche 特性**：芯片的 Avalanche 电压和电流特性经过详细测试，确保在过压条件下也能安全工作。 5. **环保合规**：采用无铅和RoHS（限制有害物质指令）符合的基座零件编号和包装类型，体现了对环境保护的关注。 标准包装包括IRLB4132PbF型号，提供50个TO-220AB管型，以及可订购的零件编号。 关于电气参数： - **最大允许电压**：栅极源电压范围为±20V，这是为了保护设备免受过电压损害。 - **连续电流**：在25°C时，最大连续 Drain Current (ID) 为150A，随着温度升高，如在100°C时降为100A，同时考虑到封装限制，最大值为78A。 - **脉冲电流（峰值）**：允许的脉冲 Drain Current (IDM) 较大，为620A，但在持续时间内可能需要进行线性降额。 - **功率耗散**：最大功率耗散在25°C下为140W，在100°C极限条件下为68W，有一个线性降额因子，即每升高1°C，功率消耗会降低0.90W。 此外，芯片的工作温度范围是-55°C至+175°C，且在10秒内可以承受高达300°C的焊接温度。安装时需要遵循规定的扭矩要求，使用6-32或M3螺丝，施加10lbf·i的扭矩。 IRLB4132是一款高性能、低损耗、适应宽温范围的MOSFET，对于追求高效率和可靠性的UPS和逆变器系统设计来说，是一个理想的选择。在实际应用中，务必仔细查阅规格书以确保正确使用和操作。