三星KM6264B系列CMOS SRAM技术规格

"SAMSUNG-KM6264B.pdf 是一份关于SAMSUNG公司生产的KM6264B系列CMOS SRAM芯片的技术规格说明书。该系列芯片采用先进的CMOS工艺制造，适用于不同温度范围的操作，并有多种封装类型供系统设计时选择。KM6264B家族支持低数据保留电压，适用于电池备份操作，具有低数据保留电流特性。产品系列包括KM6264BL、KM6264BL-L、KM6264BLE、KM6264BLE-L、KM6264BLI和KM6264BLI-L，分别对应商业、扩展和工业级的不同温度范围以及不同的速度等级。" SAMSUNG的KM6264B系列SRAM（静态随机存取存储器）是一种使用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术制造的集成电路。这种先进的工艺技术使得芯片在保持高性能的同时，能够实现低功耗和高集成度。KM6264B家族的内存组织结构为8Kx8位，即每个芯片包含8K个地址行，每行可以存储8位数据，总共能提供64K位的存储容量。 这些SRAM的工作电源电压为单5V，允许有±10%的电压波动，保证了在一定电压范围内稳定工作。一个显著的特性是它们支持低数据保留电压，最低可至2V，这意味着即使在电源关闭的情况下，存储的数据也能被保留。此外，KM6264B系列芯片的输出具有三态功能，可以与TTL逻辑兼容，增强了其在不同系统中的适应性。 产品家族包括多个型号，如KM6264BL-L和KM6264BLE-L，它们分别适用于商业（0~70°C）和扩展（-25~-85°C）温度范围。而KM6264BLI-L则适用于工业级应用，能在-40~85°C的温度范围内工作。速度等级上，有70/100/120ns的不同选项，满足不同系统对速度的需求。 封装方面，KM6264B系列采用了JEDEC标准的28引脚双列直插封装（28-DIP）和28引脚小外形封装（28-SOP）。在待机状态下，最大功耗（Isb1, Max）分别为100uA、10uA、100uA、50uA、100uA和50uA，具体取决于型号。而在操作状态下（Icc2），功耗同样与型号有关。 SAMSUNG的KM6264B系列SRAM芯片是为各种应用设计的，包括商业、扩展和工业环境，具备良好的温度适应性、速度等级选择和低功耗特性，适合在需要高速、低功耗存储解决方案的系统中使用。