VISHAY Si3410DV MOSFET技术规格与应用

"VISHAY Si3410DV 是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道30V（D-S）MOSFET，符合RoHS指令，并且是无卤素设计。这款器件主要应用于笔记本电脑负载开关和低电流直流到直流转换器。其特性包括采用TrenchFET技术的功率MOSFET，具有低的导通电阻和快速的开关性能。在典型条件下，其RDS(on)在VGS=10V时为0.0195Ω，在VGS=4.5V时为0.023Ω。此外，该器件的最大功率耗散和脉冲漏电流也有明确的规格限制。" VISHAY Si3410DV是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于需要高效能、低功耗和紧凑封装的电子设备。这款MOSFET采用TrenchFET技术，通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构，降低了栅极电荷，从而实现了更低的导通电阻和更快的开关速度，这对于电源管理、开关应用和直流-直流转换器尤其重要。 在电气特性方面，VDS的最大额定电压为30V，这意味着在正常工作条件下，源极和漏极之间的最大电压差不应超过30V，以保证器件的安全运行。同时，MOSFET的门极-源极电压VGS的范围是±20V，允许较大的控制范围。在25°C的结温下，连续漏电流ID最高可达8A，但随着温度升高，这个值会相应降低，如在70°C时，ID限制为5.9A。 VISHAY Si3410DV的RDS(on)是衡量其导通状态下的电阻的关键参数。在VGS=10V时，这个值仅为0.0195Ω，表明在高电压驱动下，该MOSFET有非常低的内阻，能有效地减小在大电流流过时的功率损耗。同样，当VGS降至4.5V时，RDS(on)为0.023Ω，依然保持了较低的导通电阻。 在瞬态性能方面，脉冲漏电流IDM的最大值设定为30A，而连续源漏二极管电流IS在25°C时为2.7A，这表明器件可以作为一个低内阻的二极管使用。器件的最大功率耗散(PD)在25°C时为4.1W，而在70°C时则下降到2.6W，这与热阻特性有关。热阻参数定义了器件如何将内部产生的热量散发出去，其中θJA是结到环境的热阻，决定了器件在特定环境温度下的最大功率耗散能力。 在温度管理方面，VISHAY Si3410DV的工作和存储温度范围是-55°C到150°C，确保了其在宽温度范围内都能稳定工作。同时，给出了不同温度下的最大功率耗散和连续漏电流限制，确保了在各种环境条件下的安全操作。 VISHAY Si3410DV是一款高效、低损耗的N沟道MOSFET，适合用于需要高效率和紧凑尺寸的电子应用，如笔记本电脑电源管理、小型直流-直流转换器等。其低RDS(on)和TrenchFET技术使得它在能源效率和快速切换方面表现出色。