SAMSUNG K6R1004C1A: 256Kx4 High-Speed Static RAM Datasheet

"SAMSUNG K6R1004C1A是一款由三星电子推出的256Kx4位高速静态随机存取存储器（SRAM），特别之处在于其革命性的引脚布局。该器件适用于5V工作电压，并在1998年2月发布了第四版的初步数据手册。" 在这款K6R1004C1A SRAM中，我们发现几个关键知识点： 1. **容量与速度**：作为256Kx4位的SRAM，它总共有256K个存储单元，每个单元可以存储4位数据，这意味着它提供了总计1M位（即128KB）的存储空间。同时，由于被标记为“高速”，它设计用于高性能的应用场景，提供快速的数据存取速度。 2. **电压操作**：K6R1004C1A的工作电压是5V，这在当时是比较常见的标准电压，保证了与多数系统兼容性。 3. **引脚布局**："Revolutionary Pinout"表明这款SRAM采用了创新的引脚配置，可能是为了提高布线效率、减小封装尺寸或优化信号完整性。 4. **版本历史**：数据手册经过多次修订，从Rev.0.0到Rev.4.0，表示三星电子对产品的持续优化和更新。每个版本的变更包括删除初步标识、更新直流参数、添加工业温度范围支持等。 5. **温度范围**：随着版本的升级，K6R1004C1A增加了对工业温度范围的支持，意味着它可以在更宽的温度范围内正常工作，这通常包括-40℃至85℃，比仅支持商业温度范围的产品更具适应性。 6. **订购信息**：Rev.3.1.2中提到了增加订购信息，这可能包括了产品的封装类型、订货代码和供应商信息，方便客户购买。 7. **操作条件**：在Rev.3.1.3中，明确了在工业温度范围内运行的条件，这对于系统设计者来说是非常重要的，因为不同温度下器件的性能可能会有所不同。 8. **电气特性**：Rev.3.2提到了增加测试条件以确定VOH1（高输出电压）与VC（控制电压）的关系，这是确保电路正确通信的关键参数。 SAMSUNG K6R1004C1A是一款高速、大容量的SRAM，特别适合需要快速数据访问且在严苛环境条件下工作的应用。它的设计和规格经过多轮迭代和优化，确保了可靠性和兼容性。对于嵌入式系统、工业设备或者任何需要高速缓存的应用，K6R1004C1A都是一个值得考虑的选择。