高压MOSFET驱动技术详解：自举电路与设计策略

本文档深入探讨了高端MOSFET驱动技术，特别是针对IR高压门极驱动芯片的设计指南。它旨在帮助工程师在实际应用中解决半桥电路中常见的问题，如自举电路的选择与设计、门极电阻和开关时间的优化，以及如何处理寄生参数的影响。设计过程中会重点考虑元件性能，如自举电容的容量计算，以确保最小的电压降（ΔVBS）以维持IGBT的正常工作，同时考虑到IGBT开启所需的电荷、栅源漏电流、静态电流、漏电流等多个因素。 自举电路是通过一个二极管和电容构成的简单供电方案，虽然成本低，但对占空比和导通时间有局限性，需要持续对电容进行充放电。正确选择自举电容至关重要，这涉及到计算上管导通时的电压降，并考虑到各种电流和时间特性。此外，文中还提到了门极开通和关断电阻的选择，以及这些电阻如何影响电路的开关时间和输出电压斜率。 寄生参数，如COM（Common）和Vs（Switching Voltage）相对于地（Ground）的电压差，以及Vs和Vout之间的电阻，都会对驱动性能产生影响，需要在设计中予以妥善处理。电路板布局指南也非常重要，包括高低电压间距的安排、有效的接地和铺地策略，以及门极驱动回路的构建，以确保信号的准确传输和电路的稳定性。 供电电容的选择和布线实例也在文中给出，这些都是确保驱动芯片正常工作和性能优化的关键环节。这份文档为读者提供了一套全面的指导，适用于电机驱动等应用，特别是对于使用IR典型自举供电式门极驱动芯片的项目设计者来说，具有很高的实用价值。