AO6801-VB SOT23-6封装 MOSFET技术规格与应用

"AO6801-VB是一款由VBsemi制造的双P沟道MOSFET，采用SOT23-6封装，适用于需要小型化和高效能的应用。这款MOSFET在不同栅极电压下的RDS(ON)分别为75mΩ@4.5V和100mΩ@2.5V，阈值电压为-1.2~-2.2V。其主要特点包括低RDS(ON)，快速开关性能，以及紧凑的封装尺寸。" AO6801 MOSFET是专为需要高效率和小体积的电子设计而设计的。它由两个独立的P沟道MOSFET组成，每个都具有-20V的漏源电压（VDS）能力。在-4.5V的栅极电压下，连续漏电流（ID）可达到-4.0A，而在2.5V的栅极电压下，ID则为-3.2A。Qg（栅极电荷）典型值为2.7nC，这反映了开关过程中所需的电荷量，对于快速开关操作至关重要。 该器件的封装形式为SOT23-6，这是一种小型表面贴装封装，适合空间有限的电路板。封装尺寸为2.85mm x 3mm，包含6个引脚，分别是源极（S）、栅极（G）和漏极（D），每个MOSFET都有独立的引脚。 在绝对最大额定值方面，VDS的最大值为-20V，而栅极源电压（VGS）允许的范围是±12V。连续漏电流（ID）在不同的温度和条件下有所不同，例如在25°C时为-4.0A，在70°C时则降低到-3.1A。脉冲漏电流（IDM）的最大值为-12A，而连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-1.17A。最大功率耗散（PD）在25°C时为1.4W，但随着温度升高会相应减少。 热特性方面，最大结到环境的热阻（RthJA）在5秒内为93°C/W，稳态时为75°C/W至90°C/W。这意味着当MOSFET在高功率工作时，需要良好的散热设计来维持稳定的工作温度。此外，结到脚的热阻（RthJF）也给出了相关的散热性能指标。 AO6801的主要特点包括其低导通电阻，这有助于在导通状态下减少功率损失；同时，其小尺寸封装适应了现代电子设备对空间节省的需求。这款MOSFET适用于电源管理、逻辑切换、负载开关等多种应用场景，尤其在需要高速开关和低功耗的电路中表现出色。