JFET共源放大电路实验：参数测量与Multisim建模

实验6是关于结型场效应管（JFET）共源放大电路的实践操作和理论学习。本次实验针对电子电路专业学生，旨在让他们掌握JFET放大电路的基本构造、工作原理以及关键参数的测量和计算。参与者是2020211115班的胡宇轩同学。 实验的主要目标包括： 1. 理解场效应晶体管（FET）放大电路的基础：学生将通过实际操作和仿真实验，深入理解JFET作为放大元件的工作方式，以及如何选择和调整其静态工作点。 2. 测量FET参数：实验中，2SK30A JFET的漏极饱和电流IDSS（通常在2.6mA至6.5mA范围内）和截止电压Voff（-0.4V至-5V）是关键参数。通过搭建不同电路，学生将测量这些参数，并根据实际值进行电路设计。 3. 静态工作点计算与增益分析：学生需要根据测量的IDSS和Voff，计算电路的静态工作点，这有助于后续计算放大器的电压增益。通过Multisim 13.0这样的软件，他们将使用这些参数来校准仿真模型，确保仿真结果的准确性。 4. 模型参数调整：Shichman-Hodges模型是结型JFET在Multisim中的代表，学生需调整VT0截止电压和跨导系数BETA（注意这里的BETA与理论中的gm不同），以反映实际器件特性。 整个实验涉及实际操作、数据处理、理论应用和模拟技术的结合，强调了实验技能和理论知识的同步提升，对于理解和掌握场效应晶体管在电子电路中的应用至关重要。