TI-TPIC2603：串行控制与诊断六通道电源DMOS驱动器
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更新于2024-06-29
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"TI-TPIC2603.pdf - TI的TPIC2603是一款集成了串行控制和诊断功能的低侧驱动器，用于控制六个板上电源DMOS开关。该器件提供了独立的开态短路保护、关态开路检测、过电压锁定保护和过温感应等功能。"
TI的TPIC2603是一款高性能的集成电路，设计用于在各种应用中驱动六个电源DMOS晶体管，每个通道具有独立的控制和保护特性。这款芯片的核心功能包括：
1. **串行控制与诊断**：TPIC2603通过串行接口实现对六个功率开关的控制，并提供诊断反馈，确保系统的可靠性和安全性。
2. **六路350mA连续电流输出**：每个通道可提供高达350毫安的连续工作电流，满足中等功率需求。
3. **60V感性负载钳位**：内置的60V感性负载钳位电路保护器件免受由于快速关闭负载时产生的反电动势影响。
4. **独立的ON状态短路保护**：每个输出端口都具备短路到电池保护功能，当检测到短路时，能够及时切断电源，防止损坏电路。
5. **独立的OFF状态开路故障检测**：在关断状态下，可以检测所有输出端的开路情况，确保无负载状态下的系统稳定性。
6. **低占空比脉宽调制（PWM）模式**：在过电流条件下，器件会自动将输出切换到低占空比的PWM模式，以限制电流并防止过载。
7. **过电池电压锁定保护**：当电源电压超过预设阈值时，器件自动锁定，防止因过高电压引起的损害。
8. **过温度感应与串行接口故障状态**：内置的温度传感器监控芯片温度，一旦超过安全范围，会通过串行输出端口报告故障状态。
9. **内部电源复位**：TPIC2603包含内部电源复位功能，确保在电源启动时所有寄存器均处于已知初始状态。
10. **CMOS兼容输入带滞后**：输入端口设计为CMOS兼容，具有滞后特性，提高了抗噪声干扰能力。
TPIC2603是电源管理领域的一款强大工具，特别适合需要精确控制和故障检测的汽车电子、工业自动化和电机驱动等应用。其全面的保护特性确保了系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
SLIS056A − FEBRUARY 1995 − REVISED MARCH 1996
4
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443
• HOUSTON, TEXAS 77251−1443
DISSIPATION RATING TABLE
PACKAGE
T
C
≤ 25°C
POWER RATING
DERATING FACTOR
ABOVE T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
POWER RATING
DW 1750 mW 14 mW/°C 350 mW
NE 2500 mW 20 mW/°C 500 mW
recommended operating conditions
MIN NOM MAX UNIT
Logic supply voltage, V
CC
4.5 5 5.5 V
Battery supply voltage, V
bat
5.5 12 25 V
High-level input voltage, V
IH
0.7 V
CC
V
CC
V
Low-level input voltage, V
IL
0 0.3 V
CC
V
Operating case temperature, T
C
−40 125 °C
electrical characteristics, T
C
= −40°C to 125°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
V
bat
Battery supply voltage Normal operation 5.5 25 V
I
bat
Battery supply current
V
CC
= 5 V 5 mA
I
bat
Battery supply current
V
CC
= 0
50 µA
V
CC
Logic supply voltage 4.5 5.5 V
I
CC
Logic supply current All outputs off, V
bat
= 5.5 V 5 mA
V
(turn-on)
V
CC
turn-on voltage
(logic operational)
V
bat
= 5.5 V, Check output functionality 4.5 V
V
(ov)
Over-battery voltage
shutdown
Gate disabled 30 38 V
V
hys(ov)
Over-battery voltage reset
hysteresis
0.4 2 V
V
bat
= 13 V
I
O
= 0.35 A, T
C
= 25°C
0.7 1
r
DS(on)
Drain-to-source on-state
resistance
V
bat
= 5.5 V
I
O
= 0.35 A, T
C
= 25°C
1.7 2.3
Ω
r
DS(on)
Drain-to-source on-state
resistance
V
bat
= 13 V
I
O
= 0.35 A, T
C
= 125°C
1.2 1.7
Ω
V
bat
= 5.5 V
I
O
= 0.35 A, T
C
= 125°C
2.7 3.8
I
L
On-state current limit 0.8 2 5 A
I
L(sense)
Over-current sense 0.8 1.5 3 A
I
IH
Input pullup current GND < V
I
< 0.7 V
CC
, CS input only −5 −10 −50 µA
I
IL
Input pulldown current 0.3 V
CC
< V
I
< V
CC
, All other inputs 2.5 10 25 µA
I
D(off)
Off-state drain current V
load
= V
bat
= 14.5 V 20 40 80 µA
I
O(sleep)
Sleep-state output current V
bat
<
0.5
V,
V
CC
< 0.5 V, Load = 14 V 50 µA
V
OH
High-level serial output
voltage
I
O
= 1 mA 0.8 V
CC
V
V
OL
Low-level serial output
voltage
I
O
= 1 mA 0.2 0.4 V
I
OZ
High impedance state
output current
V
CC
= 5.5 V to 0 V, SDO output −10 1 10 µA
V
(BR)DSX
Drain-to-source breakdown
voltage
dc < 1%, t
w
= 100 µs, I
O
= 20 mA 52 58 68 V
T
j(sense)
Thermal flag 150 170 185 °C
T
j(hys)
Thermal flag hysteresis 5 10 15 °C
V
(open)
Open-load detection voltage 0.3 V
CC
0.7 V
CC
V
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