FQPF27P06-VB：P沟道60V MOSFET技术规格与特点

"FQPF27P06-VB是一种P沟道的60V MOSFET，采用TO220F封装，由VBsemi公司生产。这款MOSFET符合卤素免费（Halogen-free）标准，遵循IEC61249-2-21定义，并且是TrenchFET®功率MOSFET技术的产物。它通过了100%的Rg和UIS测试，同时满足RoHS指令2002/95/EC的要求。" FQPF27P06-VB的主要特性包括： 1. **P沟道60V MOSFET**: 这意味着该器件在源极和漏极之间可以承受的最大电压为60V，适合在低电压系统中作为开关或控制元件使用。 2. **TrenchFET®技术**: TrenchFET®是一种先进的MOSFET制造工艺，通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构，提高了器件的电荷载流子移动率，降低了导通电阻(RDS(on))，从而实现更低的功耗和更高的效率。 3. **100% Rg和UIS测试**: Rg测试确保了栅极到源极之间的绝缘强度，UIS测试则验证了器件在过电压条件下的生存能力，这使得FQPF27P06-VB具有良好的可靠性。 4. **RoHS合规性**: 符合RoHS指令意味着这款MOSFET不含有多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质，对环境友好。 产品规格摘要： - **最大RDS(on)**: 在栅极电压VGS为-10V时，RDS(on)为0.050Ω，而在VGS为-4.5V时，RDS(on)为0.060Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的功率损失较小。 - **连续漏极电流ID**: 最大值为-30A（25°C时）和-29A（70°C时），表明器件在特定温度下能持续通过的最大电流。 - **脉冲漏极电流IDM**：短时间最大脉冲电流为-100A，这适用于瞬时高电流需求的场景。 - **雪崩能量EAS**：在L=0.1mH的条件下，单次雪崩能量最大为51mJ，表明器件在承受过电压脉冲时的耐受能力。 绝对最大额定值： - **源极-漏极电压VDS**：-60V，这是器件能承受的最大电压。 - **栅极-源极电压VGS**：±20V，超过这个范围可能会损坏MOSFET。 - **脉冲漏极电流IDM**：-100A，超过此值可能使器件过热。 - **最大功率损耗PD**：25°C时为41.7W，但考虑到结温(TJ)，在25°C时安全操作区域(SOA)的限制下，最大功率可能降至2.1W。 热性能参数： - **结温TJ，Tstg**：工作和存储温度范围从-55°C到150°C。 - **结-壳热阻RthJC**：3°C/W，表示每瓦功耗会使器件外壳温度升高3°C。 - **结-环境热阻RthJA**：60°C/W，意味着每瓦功耗会使得器件结温相对于环境温度上升60°C，这在计算散热设计时非常重要。 FQPF27P06-VB是一款适用于需要高效、可靠P沟道MOSFET的应用，例如电源管理、电机驱动、开关电源以及负载开关等。其紧凑的TO220F封装和出色的热性能使其能在各种电子设备中发挥出色表现。