FQPF27P06-VB:P沟道60V MOSFET技术规格与特点
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更新于2024-08-03
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"FQPF27P06-VB是一种P沟道的60V MOSFET,采用TO220F封装,由VBsemi公司生产。这款MOSFET符合卤素免费(Halogen-free)标准,遵循IEC61249-2-21定义,并且是TrenchFET®功率MOSFET技术的产物。它通过了100%的Rg和UIS测试,同时满足RoHS指令2002/95/EC的要求。"
FQPF27P06-VB的主要特性包括:
1. **P沟道60V MOSFET**: 这意味着该器件在源极和漏极之间可以承受的最大电压为60V,适合在低电压系统中作为开关或控制元件使用。
2. **TrenchFET®技术**: TrenchFET®是一种先进的MOSFET制造工艺,通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构,提高了器件的电荷载流子移动率,降低了导通电阻(RDS(on)),从而实现更低的功耗和更高的效率。
3. **100% Rg和UIS测试**: Rg测试确保了栅极到源极之间的绝缘强度,UIS测试则验证了器件在过电压条件下的生存能力,这使得FQPF27P06-VB具有良好的可靠性。
4. **RoHS合规性**: 符合RoHS指令意味着这款MOSFET不含有多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质,对环境友好。
产品规格摘要:
- **最大RDS(on)**: 在栅极电压VGS为-10V时,RDS(on)为0.050Ω,而在VGS为-4.5V时,RDS(on)为0.060Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件的功率损失较小。
- **连续漏极电流ID**: 最大值为-30A(25°C时)和-29A(70°C时),表明器件在特定温度下能持续通过的最大电流。
- **脉冲漏极电流IDM**:短时间最大脉冲电流为-100A,这适用于瞬时高电流需求的场景。
- **雪崩能量EAS**:在L=0.1mH的条件下,单次雪崩能量最大为51mJ,表明器件在承受过电压脉冲时的耐受能力。
绝对最大额定值:
- **源极-漏极电压VDS**:-60V,这是器件能承受的最大电压。
- **栅极-源极电压VGS**:±20V,超过这个范围可能会损坏MOSFET。
- **脉冲漏极电流IDM**:-100A,超过此值可能使器件过热。
- **最大功率损耗PD**:25°C时为41.7W,但考虑到结温(TJ),在25°C时安全操作区域(SOA)的限制下,最大功率可能降至2.1W。
热性能参数:
- **结温TJ,Tstg**:工作和存储温度范围从-55°C到150°C。
- **结-壳热阻RthJC**:3°C/W,表示每瓦功耗会使器件外壳温度升高3°C。
- **结-环境热阻RthJA**:60°C/W,意味着每瓦功耗会使得器件结温相对于环境温度上升60°C,这在计算散热设计时非常重要。
FQPF27P06-VB是一款适用于需要高效、可靠P沟道MOSFET的应用,例如电源管理、电机驱动、开关电源以及负载开关等。其紧凑的TO220F封装和出色的热性能使其能在各种电子设备中发挥出色表现。
2023-12-18 上传
2021-03-02 上传
2022-02-15 上传
2024-10-26 上传
2024-10-26 上传
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2024-10-26 上传
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