Hynix HY27UT084G2A MLC NAND Flash技术规格

"HY27UT084G2A是一款由Hynix（现SK海力士）生产的MLC（多层单元）NAND闪存芯片。这款芯片提供了4Gbit（512Mx8bit）的存储容量，适用于大规模存储应用。其主要特性包括采用多平面架构，可实现并行操作，显著提高了编程和擦除的速度。此外，它支持8位总线宽度的NAND接口，具有复用的地址/数据线，并且在不同密度下保持引脚兼容性。工作电压为3.3V，范围在2.7V至3.6V之间。内存单元阵列结构为(2k+64)字节x128页x2048块，每页大小为2048字节，包含64字节的备用区域。" HY27UT084G2A是Hynix的一款高密度NAND闪存产品，设计用于满足大容量存储需求，如固态硬盘、移动设备、数字媒体设备等。这款芯片的存储容量为4Gbit，转换为字节数即为512MB，采用8位数据宽度接口，使得数据传输更为高效。 多平面架构是该芯片的一大亮点。传统的单平面NAND闪存进行读写操作时，整个数组作为一个整体进行操作，而MLC NAND如HY27UT084G2A将存储阵列分为两个独立的平面，可以同时对两个平面进行操作，这大大减少了编程和擦除的时间，提升了整体性能。这对于需要快速读写大量数据的应用来说，是一个显著的优势。 NAND接口设计方面，该芯片采用了复用的地址/数据线，这意味着在进行地址和数据传输时，同一组引脚可以执行不同的功能，降低了硬件设计的复杂度。同时，引脚兼容性意味着无论在何种存储密度下，都可以使用相同的物理连接，简化了设计和升级流程。 电源电压为3.3V，允许的电压范围在2.7V到3.6V之间，这符合大多数电子设备的标准电压要求，确保了芯片的稳定工作。内存单元阵列的布局是(2k+64)字节x128页x2048块，其中的2k字节为用户数据区，64字节为备用区，备用区通常用于存储校验信息或管理数据，以确保数据的完整性和可靠性。 HY27UT084G2A是一款高性能、高密度的MLC NAND闪存芯片，适合于需要快速读写和大容量存储的现代电子设备。其多平面架构、高效的NAND接口以及精心设计的内存单元阵列，都体现了Hynix在存储技术领域的先进水平。