MDD1951RH-VB：TrenchFET N沟道高温MOSFET技术规格

"MDD1951RH-VB是一款N沟道的TrenchFET PowerMOSFET，采用TO-252封装。它具有175°C的结温，适合高温环境工作。这款MOSFET在VGS=10V时的漏源导通电阻rDS(on)为0.025Ω，在VGS=4.5V时为0.030Ω，提供60V的额定电压和100A的脉冲漏极电流能力。其栅源电压VGS限制在±20V，连续漏极电流ID在结温为175°C时可达100A，而连续源电流IS为23A。此外，它还支持20A的雪崩电流和20mJ的单次雪崩能量。最大功率耗散为100W，结壳热阻RthJC典型值为3.2°C/W，最大值为4°C/W，而结温到环境的热阻RthJA在短时间内为18°C/W，稳态下为40°C/W。该器件符合RoHS标准，适用于各种电源管理、开关应用及电路保护。" MDD1951RH-VB是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其核心技术是TrenchFET结构，这种技术通过在硅片上形成沟槽型结构来提高器件的开关性能和降低导通电阻，从而实现更低的功耗和更高的效率。该MOSFET的额定电压VDS为60V，适合处理中等电压的电路需求。 其关键电气特性包括低的rDS(on)，这决定了当MOSFET导通时的压降，低rDS(on)意味着在高电流通过时的功率损失较小。MDD1951RH-VB的rDS(on)值在不同的栅极电压下有所不同，VGS=10V时为0.025Ω，VGS=4.5V时为0.030Ω，这意味着在驱动电压较低的情况下也能保持良好的导通状态。 在温度管理方面，MDD1951RH-VB能承受175°C的最高结温，远高于常规的125°C或150°C，因此它特别适合高温环境下的应用。此外，它还具有20A的雪崩电流能力，允许在短路或过载情况下安全地进行能量释放，而不损坏器件。其单次雪崩能量EAS为20mJ，确保了器件在短时间内的浪涌保护能力。 热性能方面，MDD1951RH-VB的热阻特性对散热至关重要。较低的RthJC意味着热量从芯片传递到外壳的效率较高，有助于器件在大功率应用中的稳定运行。同时，RthJA表示器件从内部结温散发到周围空气的能力，较低的数值意味着更好的散热性能，可以防止器件过热。 这款MOSFET采用TO-252封装，这是一种常见的表面安装封装，便于在PCB板上安装，同时提供了足够的散热能力。此外，MDD1951RH-VB符合RoHS指令，表明它是环保的，不含有欧盟限制使用的有害物质。 MDD1951RH-VB是一款适用于高效率电源转换、电机控制、开关电源以及需要高效能和高温稳定性的其他电子设备的优质N沟道MOSFET。其低rDS(on)、高结温和优秀的热管理特性使其在众多领域中表现出色。