TSUPREM-4二维工艺仿真系统解析与杂质分凝定量分析

本文深入探讨了TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统，这是一款在2002年由美国斯坦福大学开发的高级版本的集成电路工艺模拟系统。该系统的发展标志着工艺模拟技术的重大进步，从早期的一维结构和单一层次拓展到了二维多层结构，能够处理更多复杂效应，如二级效应，提升了数学物理模型的精准度和算法的成熟度。 TSUPREM-4的核心优势在于其二维平面模拟能力，这使得它能够模拟集成电路制造过程中涉及的众多工艺环节，如扩散工序在不同环境下的表现、氧化剂的多种形态与组合效应、硅化物介质沉积过程、离子注入掺杂行为、各种外延生长方法（包括正外延、反外延、同质外延和异质外延）的精确描述、氧化介质膜淀积、选择性窗口刻蚀的二维模拟，以及多晶硅介质沉积等。尤其重要的是，它能精确捕捉杂质元素在工艺过程中的各向异性行为，这对于小尺寸器件的设计至关重要，因为它能够全面考虑杂质在纵向和横向的分布特性。 论文的作者陈慧凯，作为一位从事集成电路仿真及工艺设计教学与研究的工程师，她在2001年3月5日提交了这篇关于TSUPREM-4的论文，并在文中展示了如何使用该系统进行杂质分凝行为的定量分析。这不仅展示了该系统的实用价值，也为集成电路工艺设计者提供了强有力的工具，帮助他们优化设计过程，减少试错成本，提升产品质量。 TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统是一个强大的工具，它革新了集成电路制造工艺的模拟方法，极大地推动了集成电路行业的科技进步，对于理解和控制工艺过程中的微观行为具有深远影响。