NTD50N03T4G-VB: 30V N沟道TO252封装MOSFET特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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本文将对NTD50N03T4G-VB型号的N沟道TO252封装MOSFET进行深入的应用分析。这款MOSFET属于TrenchFET® PowerMOSFET系列,具有高性能和可靠性特点。以下是一些关键特性:
1. **技术规格**:
- N沟道,耐压高达30V(D-S电压),确保了设备在各种工业级应用中的稳健表现。
- **开关特性**:RDS(on) 在VGS = 10V时为0.005Ω,当VGS降低至4.5V时,RDS(on) 提升至0.006Ω,这体现了其低导通电阻,有利于高效能电力转换。
- **电荷存储能力**:典型值Qg在VGS=10V下为1nC,而在4.5V下略高,表明在不同工作电压下,MOSFET具有良好的电荷控制性能。
- **过载保护**:连续和脉冲最大电流限制分别为60A(室温)和250A,以及单次脉冲雪崩电流(IAS)为39A,确保了器件在短时间内承受极端电流的能力。
2. **热管理**:
- 最大集电极-源极温度(VDS)限制为30V,而最大栅极-源极电压(VGS)范围为±20V。
- 热设计参数包括最大功率损耗(PD):在25°C下,连续操作条件下的最大功率为205W,而在70°C时有所下降。
- 为了确保安全,还提供了存储温度范围(TJ, Tstg)从-55°C到175°C,以及不同环境下的最大功耗限制。
3. **应用领域**:
- NTD50N03T4G-VB MOSFET适用于多种应用场合,如OR-ing(逻辑门电路中的并联),服务器电源管理以及直流-直流转换器,这些领域对MOSFET的高效率、低导通损耗和可靠性的要求较高。
4. **注意事项**:
- 基准测试条件是Tj=25°C,表面安装在1"x1"FR4板上,10秒脉宽(t)内运行。
- 需要注意的是,这些参数是在指定温度条件下计算得出的,实际应用时可能需要考虑温度变化的影响。
NTD50N03T4G-VB是一款适合在高电压、高电流和高散热需求场景中使用的N沟道MOSFET,它凭借其出色的开关性能、过载能力和符合RoHS指令的产品质量,为电子系统设计提供了强大且可靠的解决方案。设计者在集成此类MOSFET时,应充分考虑其热管理和应用环境,以确保系统性能和稳定性。
2023-11-20 上传
2024-01-08 上传
2023-11-24 上传
2024-10-15 上传
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2023-12-29 上传
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