DDR内存布线详解:信号完整性与设计策略
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更新于2024-09-10
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DDR内存布线规则是高速数字电路设计中的关键技术环节,它对信号完整性和系统性能有着至关重要的影响。本文基于镁光的器件规格,详细阐述了DDR内存布线的原则和注意事项。
首先,理解DDR内存的引脚功能至关重要。VSS代表数字地和信号地,通常视为等效;VDD提供内核和DQ/I/O电源,同样可能默认为等效。内存信号被划分为多个组,包括:
1. **数字信号组**:主要包括DQ(数据引脚),DQS(数据选通信号),以及与字节相关的LDM(低密度模式)。
2. **地址信号组**:负责地址传输。
3. **命令信号组**:包含CAS#(列地址选择信号)、RAS#(行地址选择信号)和WE#(写使能信号)。
4. **控制信号组**:如CS#(片选信号)和CKE(时钟使能)。
5. **时钟信号组**:CK(主时钟)和CK#(子时钟)。
在PCB设计上,推荐使用6层电路板,确保阻抗在50~60欧姆范围内,以维持信号质量。电路板厚度通常选择1.57mm(62mil),而预浸料(Prepreg)的厚度可调整在4~6mil,介电常数在3.6~4.5之间,FR-4是常用的低成本、低吸湿性和低电导性的材料。
在信号布局上,DQ、DQS和时钟信号线通常选择VSS作为参考平面,因其稳定性高;地址、命令和控制信号线则倾向于选择VDD作为参考,因为它们自身可能携带噪声。电路板设计需要考虑可扩展性,如128Mb和256Mb内存的兼容性,通过合理处理未使用的引脚,如在x16 DDR中,将未使用的DQ引脚通过电阻接地以防止噪声。
端接技术在 DDR 布线中扮演重要角色。串行端接用于小规模的负载,如少于4个DDR器件,通过在信号线上放置电阻来抑制振铃、过冲和下冲。双向I/O信号如DQ采用串行端接,单向信号如地址线则根据需要采取相应的技术措施。
DDR内存布线规则涉及引脚功能的理解、PCB参数的选择、信号布局的策略以及端接技术的应用,每一个细节都直接影响到系统的性能和稳定性。在实际设计中,工程师必须充分理解并遵循这些规则,以确保DDR系统的高效运行。
2021-06-29 上传
2011-12-06 上传
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dzy_cn86
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