光学OPO激发下聚合物电介质深陷阱能态深度研究

本研究论文聚焦于"聚合物电介质深陷阱能态研究",它采用了先进的光学参量振荡器（OPO）作为激发光源，这是一种能够在210-420纳米波长范围内实现连续可调谐的激光源，单个光脉冲的平均能量达到2.3毫焦耳，脉冲宽度控制在3至5纳秒。OPO光源在光激放电（PSD）测试系统中表现出良好的性能，这是一项用于探测和分析电介质材料中陷阱能态的有效手段。 研究的重点是对两种典型聚合物电介质——聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）和聚丙烯（PP）进行深入分析。实验结果显示，PET内部存在一个具有活化能为4.27电子伏特（eV）的单一深陷阱，这意味着在该材料中，电子在特定的能量水平上难以逃离，形成了一个长时间存在的能量状态。相比之下，PP材料中的深陷阱更为复杂，存在两个活化能值，分别为4.92 eV和5.17 eV，分别对应不同的陷阱状态。 这些深度陷阱的存在对聚合物电介质的电性能、耐老化性和可靠性有重要影响，因为它们可能影响电子的传输和存储，进而影响材料的导电性、绝缘性以及在电子设备中的长期稳定性。了解并掌握这些深陷阱能态的信息，有助于优化聚合物材料的设计，提高其在电子、光电器件和储能等领域中的应用性能。 总结来说，这篇论文通过OPO激发光源和PSD测试技术，揭示了聚合物电介质材料中深陷阱能态的特性，这对于材料科学家和工程师理解并改进聚合物材料的性能，特别是在高能量密度储存和快速充放电应用中，具有重要的科学价值和技术指导意义。