40V N沟道DFN8封装TrenchFET PowerMOSFET

SI7884BDP-T1-GE3-VB N沟道DFN8(5X6)封装MOS管 SI7884BDP-T1-GE3-VB是一种N沟道DFN8(5X6)封装MOS管，属于TrenchFET®PowerMOSFET系列。该MOS管具有高性能和高可靠性，广泛应用于Notebook PC Core和VRM/POL等领域。 特点 * TrenchFET®PowerMOSFET技术，提供了高导通率和低导通电阻 * 100% Rg和UIS测试，确保了MOS管的可靠性 * N-Channel MOSFET， Drain-Source Voltage为40V * RDS(on)为0.0050Ω，Qg为67nC 应用 * Notebook PC Core * VRM/POL 绝对最大额定值 * Drain-Source Voltage：40V * Gate-Source Voltage：±20V * 连续Drain Current：70A（TJ=175°C） * 脉冲Drain Current：120A * Avalanche Current Pulse：21A * Single Pulse Avalanche Energy：47.2mJ * 连续Source-Drain Diode Current：70A * 最大功率损耗：100W（TC=25°C） * 工作结温和存储温度范围：-55°C to 175°C 热阻 * Junction-to-Ambient Thermal Resistance：90°C/W SI7884BDP-T1-GE3-VB N沟道DFN8(5X6)封装MOS管是一种高性能、低电阻的MOS管，广泛应用于电源管理和数据转换等领域。其高导通率和低导通电阻使其在高频率和高电流应用中具有优势。