IRLL3303TRPBF-VB：N沟道30V TrenchFET MOSFET技术规格

"IRLL3303TRPBF-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用SOT223封装，适用于各种电子设备的开关和驱动应用。这款器件的主要特点包括低导通电阻、100%的Rg和UIS测试。" IRLL3303TRPBF-VB是一款由VBsemi公司提供的场效应管，其设计和制造采用了先进的TrenchFET技术，这是一种优化了性能和效率的功率MOSFET结构。TrenchFET技术通过在晶体管的沟道区域创建深沟槽，能够降低导通电阻，从而提高开关速度和效率，同时减少功耗。 该器件的电气特性表明，它可以在10V的栅极-源极电压（VGS）下，提供0.019欧姆的低导通电阻（RDS(on)），而在4.5V的VGS时，RDS(on)稍微增加到0.021欧姆。这使得IRLL3303TRPBF-VB非常适合用于需要低损耗和高电流传输的应用，例如电源管理、电机驱动和直流-直流转换器。 在额定条件下，IRLL3303TRPBF-VB能承受的最大漏源电压（VDS）为30V，连续漏极电流（ID）在25°C时为7A，而在125°C时为4.5A。此外，脉冲漏极电流（IDM）可达31A，单脉冲雪崩电流（IAS）限制为10A，单脉冲雪崩能量（EAS）为5毫焦。最大功率耗散在25°C时为4W，在125°C时降至1.3W。 温度方面，器件的工作结温及储存温度范围从-55°C到+175°C，具有良好的耐温能力。热特性方面，器件的结-壳热阻（RthJA）为110°C/W，这意味着当温度每上升1°C，器件将散发110瓦的热量；而结-脚（漏极）热阻（RthJF）为38°C/W。 IRLL3303TRPBF-VB的封装形式为SOT223，这是一种小型表面贴装器件，适合高密度电路板布局。它的引脚配置包括源极（S）、栅极（G）和漏极（D），便于在电路中集成和操作。 总结来说，IRLL3303TRPBF-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，特别适用于需要高效能、低电阻特性的应用。凭借其紧凑的封装和出色的电气特性，这款MOSFET是各种电子设计中的理想选择，特别是那些对开关速度和功率转换效率有严格要求的系统。