FW102-TL-E-VB：SOP8封装双P-Channel MOSFET特性与应用

FW102-TL-E-VB是一款由VB Semiconductor公司生产的SOP8封装双P-Channel沟道场效应MOSFET，适用于负载开关等应用。该器件采用TrenchFET技术，具有低电阻、快速开关及无卤素等特点。 这款MOSFET的主要特性包括： 1. 无卤素设计，符合环保要求。 2. TrenchFET功率MOSFET技术，提供更好的性能和效率。 3. 经过100%UIS测试，确保了其在应用中的安全性。 在电气参数方面，FW102-TL-E-VB的主要规格如下： - 驱动电压（VGS）：-1.5V，表明开启MOSFET所需的栅极源极电压。 - 额定漏源电压（VDS）：-30V，意味着MOSFET能承受的最大电压差。 - 漏极源极导通电阻（RDS(on)）：在VGS = -10V时为35mΩ，VGS = -20V时为45mΩ，这表示在正常工作条件下MOSFET的内部电阻。 - 连续漏极电流（ID）：在不同温度下有所不同，例如在25°C时为-7.3A，70°C时为-5.9A，表明其最大连续工作电流。 - 输入电荷（Qg）：在10s脉冲条件下，典型值为17nC，反映了栅极到源极充电和放电的总量，影响开关速度。 - 短路持续时间限制，通常基于热耗散能力，如85°C/W的最大结温上升速率。 应用领域： FW102-TL-E-VB适用于负载开关应用，可以作为电源管理、电路保护和控制的关键组件。 绝对最大额定值： - 漏源电压（VDS）：-30V，超过这个电压可能会损坏MOSFET。 - 栅源电压（VGS）：±20V，确保不超出此范围，以防止栅极损伤。 - 连续漏极电流（ID）：根据温度的不同，其最大值会有所变化。 - 冲击电流（DM）和雪崩电流（AS）也有相应的限制，以防止过电流导致的设备损坏。 热性能： - 结温（TJ）和储存温度范围：-55°C至150°C，保证了MOSFET在各种环境下的稳定工作和储存。 - 热阻抗（Thermal Resistance）：给出了结到环境的热阻，决定了器件的散热能力。 总体而言，FW102-TL-E-VB是一款适用于需要高效、低阻和可靠性的P-Channel MOSFET应用的解决方案，特别适合于需要控制电流并能承受高电压的工作场景。其小型SOP8封装也方便在电路板上安装和布局。