SOT23封装P-Channel场效应MOS管J461A-T1B-AT-VB：低阻、快速开关特性

本文档介绍了一款名为J461A-T1B-AT-VB的SOT23封装P-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司提供。该器件属于TrenchFET®系列的功率MOSFET，特别适合高侧开关应用，具有以下关键特性： 1. **封装**: SOT23封装，这是一种小型、表面安装技术(SMT)封装，适用于FR4电路板，有利于节省空间并提高集成度。 2. **电气规格**: - **电压等级**: 阴极-阳极（Drain-Source Voltage, DS）最大可达60V，确保了设备在高压环境下工作的能力。 - **漏极电流**: 在连续模式下，当栅极电压VGS为-10V至-3V时，最大集电极电流ID可达-500mA（TA=100°C），而脉冲模式下的最大持续电流限制为-1500mA（TA=25°C）。 - **阈值电压**: P-Channel MOSFET的阈值电压VGS(th)典型值为-2V，表明它在低栅极电压下即可开启导通。 - **电阻**: 低阻态(RDS(on))仅为300mΩ，当VGS=10V或20V时，这表明了良好的开关性能和低功率损耗。 3. **速度性能**: - **开关速度**: 快速切换时间约为20ns，这意味着它在高频应用中具有较高的响应能力。 - **输入电容**: 输入电容较低，仅为20pF，有助于减小信号失真和提高系统响应。 4. **环保合规性**: - 符合RoHS指令2002/95/EC，体现了对环境有害物质的控制标准。 5. **热管理**: - 功耗限制：在100°C的环境温度下，最大功耗为460mW，同时提供了最大结温与环境温度之间的热阻RthJA为350°C/W，确保了散热性能。 - 结温范围：工作和储存温度范围为-55°C至150°C。 6. **注意事项**: - 测试条件：脉冲测试建议脉宽PW不超过300μs，占空比不超过2%。 - 应用限制：开关动作基于最大允许的结温限制。 这款J461A-T1B-AT-VB P-Channel MOSFET凭借其紧凑的封装、高效能和低功耗，是设计高性能电路的理想选择，尤其适用于那些对小型化、快速响应和环保要求高的电子设备。在实际应用中，应仔细评估这些规格以确保器件的正确使用和性能优化。如需进一步的技术支持或咨询，可以拨打VBSEMI的服务热线400-655-8788。