SmartARM2400开发平台：SDRAM初始化与延时策略

"该文主要介绍了在基于ARM的系统中，针对SDRAM（Static Random-Access Memory）的读延时策略配置以及初始化过程。具体涉及EMCDynamicReadConfig、EMCDynamicRASCAS0~3等寄存器的设置，这些设置与SDRAM的性能密切相关，特别是RAS和CAS的等待时间对读取速度的影响。此外，文章还提及了SmartARM2400工控开发平台的硬件特性，包括电源监控、看门狗复位电路和JTAG接口的相关信息。" 在ARM系统中，SDRAM的读取性能是由一系列参数决定的，其中读延时策略是非常关键的一部分。程序清单3.11展示了如何设置EMCDynamicReadConfig寄存器，选择EMCCLKDELAY命令延迟策略，确保时钟输出不延迟。接着，程序清单3.12说明了如何设置RAS和CAS的等待时间，通常RAS延迟设置为3个CCLK周期，CAS延迟也设置为3个CCLK周期，这与SDRAM的数据手册和模式寄存器中的CL潜伏期保持一致。tCL（CAS潜伏期）是影响读取速度的关键，它不应设置得太小，否则可能导致数据读取错误，一般应大于或等于2。 初始化SDRAM的过程包括多个步骤，首先，系统在时钟稳定后需等待至少100μs，可以在此期间发送NOP命令。然后，执行预充电命令以准备所有Bank，接着至少等待tRP（行预充电时间）个时钟周期。这些步骤确保了SDRAM的正确操作。 在硬件层面，SmartARM2400工控开发平台使用了SP706S电源监控芯片以提高系统可靠性，并包含硬件看门狗电路。看门狗电路通过连接到CPU的复位脚，如果CPU在规定时间内未执行喂狗操作，看门狗会触发复位。在调试或ISP过程中，为了防止不必要的复位，需要断开看门狗与手动复位输入的连接。JTAG接口则提供了标准的20脚连接，用于ARM芯片的仿真和调试。 SDRAM的配置和初始化对于基于ARM的系统性能至关重要，而开发平台的硬件设计，如电源管理和调试接口，也是确保系统稳定运行的重要因素。