ONFI兼容MLC NAND Flash Memory数据手册

"MT29F64G08.pdf 是 Micron Technology 公司生产的 NAND Flash 存储器的数据手册，特别提到了 MT29F64G08CFACAWP 这个型号。该手册详细介绍了该系列芯片的特点、组织结构、性能参数以及命令集等关键信息。" MT29F64G08 系列 NAND Flash 内存是 Micron 公司基于多层单元（MLC）技术设计的存储解决方案，适用于需要高容量、高速度的存储应用。以下是其主要特点和规格： 1. **开放 NAND Flash 接口 (ONFI)**：该系列内存符合 ONFI 2.2 规范，确保与多种平台的兼容性，简化了系统集成。 2. **页面大小与块大小**：每个 8 位数据通道的页面大小为 4320 字节（4096 字节用户数据区 + 224 字节 ECC 区）。每个块由 256 页组成，每页数据量为 1024K 字节 + 56K 字节。 3. **存储组织**：芯片分为两片，每片包含 2048 个块，根据型号不同，总共有 4096 块（32Gb）、8192 块（64Gb）或 16,384 块（128Gb）。 4. **同步 I/O 性能**：支持最高到同步模式 5 的时序，时钟速率可达 10ns（DDR），每个引脚的读写带宽达到 200MT/s。 5. **异步 I/O 性能**：提供异步模式，最慢的 tRC 和 tWC 时序为 20ns。 6. **数组性能**：读取页面速度最快为 50μs，编程页面典型时间为 1300μs，擦除整个块的平均时间为 3ms。 7. **工作电压范围**：VCC 工作电压为 2.7 至 3.6V，VCCQ 有两种选择，分别为 1.7 至 1.95V 或 2.7 至 3.6V。 8. **命令集**：遵循 ONFI NAND Flash 协议，并提供高级命令集，如程序缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性可编程（OTP）模式、多平面命令、多 LUN 操作、读取唯一 ID、回写功能等。 9. **初始状态**：出厂时第一个块（块地址 00h）已经验证有效。对于最小要求的 ECC，手册提供了详细信息，确保数据的可靠性。 MT29F64G08 系列 NAND Flash 适用于各种应用场景，包括移动设备、嵌入式系统、SSD 和其他需要高密度、高速度存储的场合。由于其高性能和兼容性，它是现代电子设计中理想的存储组件之一。在设计使用时，需注意其电气特性、编程操作和错误校验机制，以确保系统的稳定性和数据安全性。