HUF75321D3ST-VB：175°C耐高温N沟道TO252封装MOSFET技术规格

HUF75321D3ST-VB是一款采用TrenchFET技术的高性能N沟道MOSFET，它被封装在标准的TO252封装中。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **高温耐受性**：该器件的Junction Temperature可达175°C，确保了在严苛工作环境下的稳定运行。 2. **低导通电阻**：在VGS = 10V时，rDS(on)为0.025Ω，而在VGS = 4.5V时，rDS(on)为0.030Ω，表现出优秀的开关性能。 3. **电流能力**： - 连续 Drain Current (TJ=175°C) 在标准条件下为ID(A): 60A。 - Pulsed Drain Current (IDM) 达到100A，适合于脉冲负载应用。 - Continuous Source Current (IS) 在Diode Conduction模式下为23A。 - Avalanche Current (IAS) 为20A，表明它具有一定的过载保护能力。 4. **能量吸收能力**：单次Avalanche Energy（L=0.1mH）为20mJ，适用于短时间高电压冲击。 5. **功率处理**：在25°C下，最大允许功率 Dissipation PD 为100W，且在3a条件下提供热管理支持。 6. **温度范围**：操作和存储温度范围从-55°C到175°C，确保在宽温范围内可靠工作。 7. **热阻特性**： - Junction-to-Ambient热阻 RthJA 在10秒内典型值为18°C/W，最大值为22°C/W。 - Steady State Junction-to-Case热阻 RthJC 为3.2°C/W，最高可达4°C/W。 8. **封装与兼容性**：TO-252封装，便于散热设计，并符合RoHS*环保标准。 9. **产品认证**：这款MOSFET是N-Channel 60V(D-S)类型，符合VBsemi公司的产品质量和性能规格。 10. **获取支持**：如有任何疑问或需要进一步的技术支持，可拨打服务热线400-655-8788。 总结来说，HUF75321D3ST-VB是一款专为高效率、高可靠性和宽温工作环境设计的N沟道MOSFET，其低导通电阻、强大的电流承载能力和良好的散热性能使其在工业级电源管理和电机控制等应用中表现突出。