MKR3256M1688MBD:4GB DDR3L SDRAM芯片手册详解
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更新于2024-06-19
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MKR3256M1688MBD是一款高性能的4GB DDR3L SDRAM芯片,它由32Mx8 banks x 16位I/O组成,旨在提供高速数据传输和低功耗解决方案。该芯片适用于各种嵌入式系统和应用,特别适合那些对内存性能有较高要求的设备,如工业控制器、物联网设备等。
这款芯片的主要特性包括:
1. **电源规格**:支持1.35V至0.065V/0.1V或1.5V±0.075V的VDD电压,以及与之相匹配的VDDQ电压,确保了在不同工作条件下稳定运行。
2. **标准兼容性**:遵循DDR3/L SDRAM规范,保证了数据操作的准确性和一致性。
3. **内存配置**:拥有8个内部银行和1个内存排,提供了灵活的存储容量管理。
4. **速度等级**:最高可达DDR3/L-1600或DDR3/L-1866,支持PC3-12800和PC3-14900的高速数据传输速率。
5. **接口特性**:采用双向差分数据 strobe 和8位预取功能,提升数据读写效率;同时支持突发长度(BL)动态切换,可以选择BL8或BC4模式。
6. **终端技术**:内置On-Die Termination (ODT) 用于优化信号完整性。
7. **可编程时序参数**:允许用户设置CAS(读取)延迟(CL)、附加延迟(AL)和写入CAS延迟(CWL),以适应不同的系统需求。
8. **环保合规**:符合RoHS指令,降低了对环境的影响。
9. **温度范围**:工作温度在-55°C到+85°C之间,刷新周期在-55°C至+85°C下为64ms,+85°C至+105°C下为32ms,确保了宽温范围内的稳定工作。
总体来说,MKR3256M1688MBD芯片凭借其出色的性能、低功耗特性和高度可编程性,是设计工程师在选择内存解决方案时的理想选择,尤其是在对功耗敏感且需要高数据吞吐量的嵌入式应用中。在使用过程中,开发者需注意根据芯片规格进行正确的电气设计和编程设置,以充分利用其全部潜力。
2024-04-12 上传
2021-03-19 上传
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