NTD5407NG-VB：高耐压N沟道TO252封装场效应管特性与应用

NTD5407NG-VB是一款高性能的N沟道场效应晶体管，它采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，具有优秀的热管理和高效率特性。这款晶体管的特点包括： 1. 结构特点： - N-Channel设计，适用于低电压（0-V(D-S)）应用。 - TO252封装，适合于工业级应用中的可靠机械安装。 2. 性能参数： - 在VGS=10V时，最大漏极导通电阻RDS(on)仅为0.013Ω，提供高效能开关性能。 - 静态特性：在室温下，当VGS=4.5V时，典型集电极电流ID约为2nC，最大连续漏极电流ID在不同温度下有限制（如25°C时为90A，70°C时为15.8A）。 - 动态特性：允许的脉冲漏极电流IDM可达200A，单次脉冲雪崩电流IAS为39A，单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ。 - 源极-漏极二极管电流IS在25°C下，连续值为90A，存储温度限制下的电流为3.13A。 3. 安全限制： - 最大 drain-source电压（VDS）为40V，gate-source电压（VGS）可承受±20V的范围。 - 温度依赖的限制明确，例如，25°C时的最大功率耗散PD为100W，而在70°C时降至75W。 - 高温条件下的热稳定性测试（如TC=70°C时）对连续和脉冲电流有相应降低。 4. 应用领域： - 该晶体管广泛应用于各种需要高效能、高可靠性的场景，如并联电源（OR-ing）、服务器电源管理以及DC/DC转换器等。 - 表明其适合表面安装在1"x1" FR4板上，并强调了在10秒的短时脉冲操作中（t=10sec）的性能。 5. 温度范围： - 操作结温度范围（TJ）为-55°C到175°C，存储温度范围（Tstg）同样为-55°C到175°C，确保在极端环境下也能稳定工作。 总结来说，NTD5407NG-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于对电流、功率密度和散热要求较高的电子设备，同时符合RoHS指令2011/65/EU标准，适用于多种工业级应用场景。在选择和使用时，应充分考虑其温度限制和功率处理能力，以确保电路的安全和高效运行。