MGSF2N02ELT1G-VB:20V N沟道SOT23 MOSFET技术解析
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更新于2024-08-03
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"MGSF2N02ELT1G-VB是一款N沟道的MOSFET,适用于SOT23封装。这款器件具备20V的额定漏源电压(VDS),在4.5V栅极电压(VGS)下,其开启电阻(RDS(on))仅为24mΩ,而在2.5V和1.8V的VGS下,分别对应33mΩ和50mΩ。该MOSFET设计为TrenchFET®功率MOSFET,通过了100%栅极电荷(Rg)测试,并符合RoHS指令。适用于DC/DC转换器和便携式设备的负载开关应用。"
MGSF2N02ELT1G-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要特点是其采用TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构提高器件性能的技术,能够降低RDS(on),提高开关速度,同时减少功耗。在20V的VDS下,MOSFET能承受连续的6A漏源电流(ID),不过请注意,这个电流值在不同温度下会有所变化,例如在70°C时,ID会降低至4A。
该器件的栅极源电压VGS的最大值为±12V,确保了良好的栅极控制。在25°C的结温(TJ)下,MOSFET的栅极电荷Qg典型值为8.8nC,这影响了开关速度和效率。在25°C时,最大功率耗散(PD)为2.1W,而结温在70°C时,PD降至1.3W。因此,使用时需要考虑环境温度对器件性能的影响,避免过热。
此外,MOSFET内置了一个源漏二极管,允许在特定条件下进行反向电流流动,但连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为1.75A,而在70°C时降至1.04A。最大脉冲漏源电流(IDM)设定为20A,这意味着在短时间内可以承受更高的电流冲击。
MOSFET的绝对最大额定值表明了它在各种条件下的安全工作范围,包括-55°C至150°C的操作和存储温度范围。对于焊接操作,有推荐的峰值温度限制以保护器件不被损坏。这款MOSFET适用于需要高效、低阻抗切换的小型电源转换系统,尤其是那些要求紧凑尺寸和高集成度的便携式电子设备。
2024-05-14 上传
2024-05-14 上传
2024-05-14 上传
2024-05-14 上传
2024-01-10 上传
2024-10-12 上传
2024-05-14 上传
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2024-05-14 上传
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