IPD30N06S4L-23-VB N沟道MOSFET:特性和应用
90 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 403KB PDF 举报
"IPD30N06S4L-23-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET,由TrenchFET技术制造,具有175°C的工作结温,适用于高耐热环境。其主要特性包括低的导通电阻,能够在10V栅极电压下达到0.025Ω,4.5V栅极电压下为0.030Ω。此外,该器件采用TO-252封装,源极与漏极连接到散热片上,有助于提高散热性能。MOSFET的绝对最大额定值包括±20V的栅源电压,连续漏电流(TJ=175°C)为23A,以及脉冲漏电流为100A。"
本文将深入分析IPD30N06S4L-23-VB MOSFET的应用及其关键参数。
首先,TrenchFET技术是这款MOSFET的一大亮点,它通过在硅片上蚀刻出沟槽结构,降低了沟道电阻,从而实现了更低的rDS(on),这在电源开关、驱动电路和其他需要高效能低损耗的电路设计中至关重要。rDS(on)的低值意味着在导通状态下,器件的功率损耗减少,提高了整体系统的效率。
其次,IPD30N06S4L-23-VB的额定结温高达175°C,这意味着它可以承受更严苛的环境温度,适合于汽车电子、工业控制等高温应用领域。同时,TO-252封装设计,将源极与漏极连接到散热片,增强了散热能力,进一步确保了在大电流工作时的稳定性。
参数方面,门极-源极电压VGS的最大值为±20V,保证了驱动电路的兼容性。连续源电流(IS)为23A,表明在二极管传导模式下,器件能够持续承载这样的电流。而脉冲漏电流IDM和雪崩电流IAS则定义了在短时间高能量脉冲下的工作能力,确保了在过载或瞬态条件下MOSFET的安全运行。
此外,器件的最大功耗PD为100W,表明它能够在特定条件下提供较高的功率处理能力。热阻抗RthJA和RthJC是衡量散热性能的关键指标,较低的RthJC意味着热量从结点传递到外壳的效率更高,有助于器件的温度管理。
IPD30N06S4L-23-VB还符合RoHS标准,对环境友好,适合现代电子产品的要求。用户可以通过VBsemi的服务热线获取更多关于该产品的技术支持和详细信息。
IPD30N06S4L-23-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,其低导通电阻、高结温耐受性和优秀的散热设计使其成为高功率、高效率应用的理想选择。在设计电路时,充分理解并利用这些特性,可以优化系统性能,提高能效,并确保设备的可靠运行。
2024-01-09 上传
2023-11-20 上传
2023-09-23 上传
2023-08-05 上传
2023-04-27 上传
2023-02-28 上传
2023-11-29 上传
2024-08-14 上传
2023-08-03 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/9c4f80bbd049454a89a68628a5c999c7_vbsemi.jpg!1)
微碧VBsemi
- 粉丝: 6915
- 资源: 2246
最新资源
- 解决Eclipse配置与导入Java工程常见问题
- 真空发生器:工作原理与抽吸性能分析
- 爱立信RBS6201开站流程详解
- 电脑开机声音解析:故障诊断指南
- JAVA实现贪吃蛇游戏
- 模糊神经网络实现与自学习能力探索
- PID型模糊神经网络控制器设计与学习算法
- 模糊神经网络在自适应PID控制器中的应用
- C++实现的学生成绩管理系统设计
- 802.1D STP 实现与优化:二层交换机中的生成树协议
- 解决Windows无法完成SD卡格式化的九种方法
- 软件测试方法:Beta与Alpha测试详解
- 软件测试周期详解:从需求分析到维护测试
- CMMI模型详解:软件企业能力提升的关键
- 移动Web开发框架选择:jQueryMobile、jQTouch、SenchaTouch对比
- Java程序设计试题与复习指南