本文主要探讨了延迟与总线利用率的概念,并通过比较RDRAM与DDR SDRAM的延迟,展示了内存性能的重要影响因素。内容涉及到内存技术的高级知识,适合内存技术爱好者和专业人士阅读。
在计算机系统中,内存延迟是衡量内存性能的关键指标之一。延迟是指从发出读写请求到数据实际被处理所需的时间。在PC800的RDRAM中,tRAC(Row Access Strobe Latency)包含了从选择行到数据输出的全部延迟,通常为16个时钟周期,即40ns。加上命令包的4个时钟周期,总耗时50ns。如果考虑行关闭后的预充电时间tRP(一般是12个时钟周期,加上命令包时间30ns),总延迟可达80ns。随着时钟频率的提高,延迟会相应缩短。
对比DDR SDRAM,其读取操作的延迟通常更低,因为DDR内存采用双倍数据速率,可以在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,从而显著提高了数据传输速率。延迟的差异对于高性能计算和实时应用至关重要,因为较低的延迟能更快地响应处理器的请求,提高系统整体性能。
文章还提到了内存时序参数的重要性,尤其是CAS(Column Address Strobe)延迟(CL),它表示从发出行地址到列地址信号之间的延迟。CL参数的选择对内存性能有直接影响,越小的CL值意味着更低的延迟,但可能会增加内存的功耗和成本。
内存的交错技术也是影响性能的因素之一,如VIA芯片组的4-Way Interleave内存控制,通过将数据分散在多个内存模块上,可以提高数据访问效率。然而,交错内存的设置需要谨慎,因为不同的交错方式和内存容量限制可能会影响系统的兼容性和性能。
文章指出,尽管内存技术的讨论逐渐增多,但市场上关于内存技术的信息质量参差不齐,许多文章可能存在误导性的信息。因此,了解正确的内存工作原理和技术细节对于避免误解和优化系统性能至关重要。
内存技术是一个复杂且不断发展的领域,从基本的时序参数到高级的交错控制,每一个细节都可能对系统性能产生显著影响。对于追求系统性能的DIY爱好者和专业人士来说,深入理解这些概念是必要的。