FDS6673BZ-NL-VB MOSFET技术解析与应用指南

"FDS6673BZ-NL-VB-MOSFET是一款P沟道的MOSFET，适用于30V的工作电压环境，具有低导通电阻（RDS(ON)）：在10V栅极电压下为11mΩ，4.5V栅极电压下为15mΩ。该器件采用了TrenchFET功率MOSFET技术，并通过了100%的Rg和UIS测试，适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。" FDS6673BZ-NL-VB-MOSFET是VBsemi公司的一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于处理高效率、小体积的电源管理需求。其特性包括无卤素设计，这意味着它符合环保标准。TrenchFET技术的运用使得MOSFET拥有更低的表面电阻，从而在工作时能减少能量损失和发热。 该MOSFET的绝对最大额定值表明，其漏源电压（VDS）可承受-30V，栅极源电压（VGS）为±20V。在25°C的结温（TJ）下，连续漏极电流（ID）可以达到-13.5A，而在70°C时，这个数值会下降到-8.6A。脉冲漏极电流（IDM）则可以达到-50A，而连续源漏二极管电流（IS）为-4.1A。 在热性能方面，该MOSFET的最大功率耗散（PD）在25°C时为5.0W，70°C时为3.2W。这些值基于最大结壳热阻（θJC）和最大壳温（TA）。同时，Avalanche电流（IAS）的额定值为-20A，单脉冲雪崩能量（EAS）为20mJ，表明该MOSFET具有良好的雪崩耐受能力。 FDS6673BZ-NL-VB-MOSFET适用于各种应用，如负载开关，常见于需要精确控制电流流动的场合，例如电池管理系统或DC-DC转换器。在笔记本适配器开关中，它可以作为电源路径管理的关键组件，确保安全且高效的电源传输。 FDS6673BZ-NL-VB-MOSFET以其低RDS(ON)、紧凑的封装（SOP8）和优良的热特性，成为需要高效能、低损耗解决方案的电子设计者的理想选择。此外，其经过全面测试的可靠性和环保设计也增加了其在工业和消费电子产品中的吸引力。