模拟电子第四版课后习题详解

"模拟电子_第四版_华成英_课后习题答案" 这篇资料主要涉及模拟电子技术的相关知识，具体是华成英编著的《模拟电子》第四版的课后习题解答。这份答案详细解析了关于半导体器件的基础概念和特性，包括PN结、二极管、晶体管和场效应管的工作原理与应用。 一、半导体基础知识 1. N型半导体和P型半导体：在N型半导体中，由于掺入五价元素，多子为自由电子；而在P型半导体中，掺入三价元素，多子为空穴。当N型半导体掺入足够量的三价元素，可以转变为P型半导体，题目中的判断题第一题答案为√。 2. PN结：PN结在无光照、无外加电压时，由于内建电场的作用，结电流几乎为零，第三题答案为√。 3. 晶体管的工作状态：处于放大状态的晶体管，集电极电流是由发射极注入的多子扩散和基极收集的少子漂移共同形成的，而不仅仅是多子漂移，第四题答案为×。 二、选择题 1. PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，选择A。 2. 二极管的电流方程是基于Shockley理想二极管方程，当二极管两端电压为U时，电流为IS * (e^(U/UT) - 1)，选择C。 3. 稳压管在反向击穿区能提供稳定的电压输出，即工作在反向击穿状态，选择C。 4. 晶体管在放大区时，发射结需正偏，集电结需反偏，选择B。 5. 耗尽型和结型场效应管在UGS=0V时能工作在恒流区，选择A和C。 三、电路分析 1. 图T1.3展示了几个包含二极管的简单电路，解题时考虑二极管的导通电压（0.7V），计算各电路的输出电压，例如UO1≈1.3V等。 2. 图T1.4涉及稳压管电路，稳压值UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，通过电路分析可以得出UO1=6V，UO2=5V。 四、晶体管过损耗区 图T1.5给出了晶体管的输出特性曲线，过损耗区是指集电极电流超过最大耗散功率对应的电流区域。根据PCM=200mW，可得到UCE与IC的关系，例如UCE=40V时IC=5mA，绘制过损耗区需要找到超过此功率限制的电流-电压区域。 这份课后习题答案详细解析了半导体器件的基础概念和实际应用，对于学习模拟电子技术的读者来说，提供了宝贵的参考和练习材料。