AP01P10I -100V 高性能场效应管,适用于电池保护和开关应用

需积分: 50 3 下载量 180 浏览量 更新于2024-09-03 收藏 1.31MB PDF 举报
本文档是关于一款由台湾永源微电子科技有限公司生产的高级沟槽工艺的-100V PMOS场效应管AP01P10I的规格书。该器件专为呼吸机、雾化器、香薰机、加湿器等应用设计,特别是那些需要低栅极电荷消耗和能在低至4.5V栅极电压下工作的开关应用,如电池保护电路。 重要特性包括: 1. **电压参数**: - VDS (Drain-Source Voltage): 最大允许源极-漏极电压为-100V。 - VGS (Gate-Source Voltage): 可承受的栅极-源极电压范围为±20V。 2. **电流能力**: - ID (Continuous Drain Current): 在VGS = -10V时,连续漏极电流为-0.9A。在70℃环境下,这个电流会降低到-0.7A。 - IDM (Pulsed Drain Current): 脉冲漏极电流限制为-1.8A。 3. **功率处理**: - PD (Total Power Dissipation): 在TA=25℃时的最大总功率损耗为1W。 4. **温度规格**: - TSTG (Storage Temperature Range): 存储温度范围为-55℃至150℃。 - TJ (Operating Junction Temperature Range): 操作结温范围也是-55℃至150℃。 - RθJA (Thermal Resistance Junction-Ambient): 结-环境热阻为125℃/W。 - RθJC (Thermal Resistance Junction-Case): 结-壳热阻为80℃/W。 AP01P10I采用SOT23封装,适合紧凑型设备,如5G交换机中的小型风扇驱动,其低RDS(ON)值保证了高效能和低能耗。在选择和使用这款场效应管时,应确保其工作条件和极限参数符合设计要求,以确保可靠性和寿命。对于电池保护应用,它能够提供有效的电源管理,防止过流和保护电池免受损坏。