SOT23封装20V 6A N-Channel MOSFET LN2502LT1G-VB特性与应用

LN2502LT1G-VB是一款采用SOT23封装的高性能N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件特别适合在低电压和大电流应用中使用，其设计目标是提供高效能和可靠性。 该MOSFET的主要特点包括： 1. 环保特性：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2. TrenchFET®技术：采用先进的沟槽型MOSFET结构，能够提高开关速度和降低导通电阻（RDS(ON)）。 3. 高可靠度：经过100%的热阻（Rg）测试，确保在高温条件下的性能稳定性。 4. 合规性：符合RoHS指令2002/95/EC，满足电子设备的环保要求。 5. 应用领域广泛：适用于各种直流-直流转换器（DC/DC Converters）以及便携式设备中的负载开关。 具体参数如下： - RDS(ON)：在VGS=4.5V时，导通电阻低至24mΩ，显示出良好的开关效率。 - 额定电压： Drain-Source Voltage (VDS) 为20V，Gate-Source Voltage (VGS) 范围为±12V，确保了宽广的工作电压范围。 - 最大连续电流：在25°C下，可承受6A的持续漏极电流（ID），而在70°C时略有下降。 - 脉冲电流能力：脉冲峰值电流（IDM）高达20A，确保了在短暂高负载情况下的稳健表现。 - 源-漏极饱和电流（IS）较小，为1.75A，但随温度升高会有所变化。 - 功率损耗：最大允许功率损耗在不同温度下有所不同，如在70°C时，最大为2.1W，而在25°C时为1.3W。 - 温度适应性：工作和存储温度范围广泛，从-55°C到150°C，满足极端环境应用需求。 在封装方面，LN2502LT1G-VB是表面安装，适合于小型尺寸的应用，如1"x1" FR4板。注意，在某些条件下，如在短时间内（5s）承受更高功率，或者在特定温度下工作，需要参考限制条件。 这款SOT23封装的N-Channel MOSFET是设计紧凑、性能出色的电子元件，为工程师们在需要高效率和低功耗的电路设计中提供了理想的选择。