Hi3519AV100 DDR4x16飞越信号完整性报告：DQ写突发眼图分析

本报告是关于Hi3519AV100 DDR4x16 Flyby Signal Integrity (信号完整性)的测试总结，日期为2018年8月21日。测试依据的是DDR4 2666Mbps AC100标准，并强调所有数据仅限于HiSilicon测试样本，供参考，不代替客户自身的测试。 Hi3519AV100是一款芯片组，与Hi3519AV100DMEBLITEVER.A主板配合，使用三星K4A8G165WB-BITD型号的16位DRAM。测试使用了DAS72004C Tektronix数字示波器，环境条件保持在常温下，DRAM工作频率为1332MHz，电压设置为VPP/Vdd/Vref-CA/Vcore分别为2.5V/1.2V/0.6V/0.8V。此外，报告提供了详细的电阻值，如DRAM_RON为48ohm，SOC_RON在不同时钟周期有所不同。 报告的重点部分是信号完整性测试结果，包括DQWriteBurst眼图测试。测试中观察到DQS/DQ边沿存在台阶和回沟现象，导致tWPSTFail，这可能是由于测试点位置不合理，放大了信号线反射误差，以及测试设备带宽和负载电容对信号边沿产生的影响，使波形失真。然而，通过SI仿真，发现芯片内部Pad上的DQS/DQ信号正常，无明显缺陷，而且DQTraining总窗口的余量充足，经过长时间高低温环境实验，未发现异常。 针对这些情况，综合评估认为，虽然DQWriteBurst眼图测试中出现了异常，但这是由于测试条件导致的，而非芯片本身的问题，因此没有实际风险。接下来，报告还提到了Address/Command指标的测试结果，这部分内容同样关注信号的准确性和一致性，但具体细节和结论并未在这部分给出，可能需要结合其他相关测试结果进行分析。 这份报告提供了一个关于Hi3519AV100 DDR4x16 Flyby Signal Integrity的详尽评估，帮助用户了解在特定条件下，芯片的信号性能表现和潜在问题，以便做出相应的设计和优化决策。