掌握CMOS与非/或非门版图设计：原理图与仿真实战

本篇文档主要介绍了在CMOS工艺下进行与非/或非门的版图设计实验。实验目标是深化理解并熟练运用Tanner-pro软件中的s-edit、t-sipice和w-edit环境，进行电路原理图设计、仿真和版图制作。以下是详细的知识点： 1. **实验目的**： - 熟悉s-edit软件，用于设计与非/或非门的原理图，包括源、漏共用方法和MOS管尺寸的选择，理解集成电路工艺与图层关系。 - 掌握t-sipice和w-edit仿真环境，用于验证设计的正确性，包括电路性能和指标的分析。 2. **预习要求**： - 精通s-edit编辑环境，不仅限于原理图设计，还要能根据性能指标制定设计规则。 - 学会利用L-edit进行版图设计，确保电学、物理几何和功能一致性。 - 深入理解lvs环境变量，进行版图的LVS一致性检查。 - 完成预习报告，总结学习成果。 3. **版图设计步骤**： - 确定工艺规则，如晶体管尺寸、电压等。 - 用L-edit绘制版图，包括电路元件、电源地线、输入输出端口。 - 加入工作电源进行电路分析。 - 使用LVS进行版图一致性验证。 4. **实验内容**： - 实现CMOS与非门的具体版图设计，确保设计满足规范。 - 对版图进行DRC(Design Rule Check)和ERC(Engineering Rule Check)检查。 - 通过仿真评估设计的性能，例如输入不同阶跃信号观察输出变化。 5. **后仿真与改进**： - 寄生参数提取是关键环节，通过仿真发现潜在问题，如错误的布线可能导致电路失效。 - 针对仿真结果，可能需要调整版图并提出改进措施。 6. **实验报告要求**： - 报告应包含项目名称、已知条件和性能指标，以及原理图设计的详细描述和分析。 - 提供版图设计的规则和规程，以及规则检查和一致性比较的结果。 - 仿真结果的详细记录，包括对设计改进的建议。 这个实验着重于CMOS工艺下的与非/或非门设计流程，包括原理图设计、版图制作、仿真测试以及版图优化，以确保电路性能的高效性和可靠性。通过实践，学生将加深对CMOS器件理解和设计技巧的掌握。